|
已选(0)清除
条数/页： 排序方式： |
| 无权访问的条目 期刊论文
作者: Yang AL; Wei HY ; Liu XL; Song HP; Zheng GL; Guo Y; Jiao CM; Yang SY; Zhu QS; Wang ZG; Liu XL Chinese Acad Sci Inst Semicond Key Lab Semicond Mat Sci POB 912 Beijing 100083 Peoples R China. E-mail Address: alyang@semi.ac.cn; xlliu@semi.ac.cn
 Adobe PDF(600Kb) |  收藏 | 浏览/下载：1147/338 | 提交时间：2010/03/08 |
| 无权访问的条目 期刊论文
作者: Yang AL; Song HP; Liu XL; Wei HY; Guo Y; Zheng GL; Jiao CM; Yang SY; Zhu QS; Wang ZG; Yang AL Chinese Acad Sci Inst Semicond Key Lab Semicond Mat Sci POB 912 Beijing 100083 Peoples R China. E-mail Address: alyang@semi.ac.cn; xlliu@semi.ac.cn
Adobe PDF(67Kb) | 收藏 | 浏览/下载：1158/328 | 提交时间：2010/03/08 |
| 无权访问的条目 期刊论文
作者: Yang AL; Song HP; Liu XL; Wei HY; Guo Y; Zheng GL; Jiao CM; Yang SY; Zhu QS; Wang ZG; Yang AL Chinese Acad Sci Inst Semicond Key Lab Semicond Mat Sci POB 912 Beijing 100083 Peoples R China. E-mail Address: alyang@semi.ac.cn; xlliu@semi.ac.cn
Adobe PDF(209Kb) | 收藏 | 浏览/下载：2659/592 | 提交时间：2010/03/08 |
| 高温原位减薄硅基底的装置和方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-12-31, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人: 刘祥林; 杨少延; 焦春美
Adobe PDF(312Kb) | 收藏 | 浏览/下载：1534/268 | 提交时间：2009/06/11 |
| 一种生长氧化锌薄膜的装置及方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-07-02, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人: 杨少延; 刘祥林; 赵凤瑷; 焦春美; 董向芸; 张晓沛; 范海波; 魏宏源; 张攀峰; 王占国
Adobe PDF(1046Kb) | 收藏 | 浏览/下载：1267/138 | 提交时间：2009/06/11 |
| 在硅衬底上生长氮化镓自支撑衬底材料的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2006-05-31, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人: 刘祥林; 焦春美; 于英仪; 赵凤瑗
Adobe PDF(661Kb) | 收藏 | 浏览/下载：998/153 | 提交时间：2009/06/11 |
| 应变调制掺杂法制备P型氧化锌半导体薄膜材料的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2006-05-31, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人: 刘祥林; 赵凤瑗; 焦春美; 于英仪
Adobe PDF(665Kb) | 收藏 | 浏览/下载：892/154 | 提交时间：2009/06/11 |
