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| 借助保护层的取样光栅的制作方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2010-08-12, 公开日期: 2010-01-13, 2010-08-12
发明人: 王 桓; 阚 强; 周 帆; 王宝君; 朱洪亮
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| 金属有机物化学气相沉积装置 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2010-08-12, 公开日期: 2010-02-24, 2010-08-12
发明人: 段瑞飞 ; 王军喜; 王国宏; 曾一平; 李晋闽
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| 倒锥波导耦合器的制作方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2010-08-12, 公开日期: 2010-01-27, 2010-08-12
发明人: 尹小杰; 王 玥; 吴远大; 安俊明; 李建光; 王红杰; 胡雄伟
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| 用于半导体器件中的取样光栅的制作方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2010-08-12, 公开日期: 2009-12-16, 2010-08-12
发明人: 王 桓; 王宝君; 朱洪亮
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: Chen L (Chen L.); Yan S (Yan S.); Xu PF (Xu P. F.); Lu J (Lu J.); Deng JJ (Deng J. J.); Ji Y (Ji Y.); Wang KY (Wang K. Y.); Zhao JH (Zhao J. H.)
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: Xu PF (Xu P. F.); Nie SH (Nie S. H.); Meng KK (Meng K. K.); Wang SL (Wang S. L.); Chen L (Chen L.); Zhao JH (Zhao J. H.)
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: Meng KK (Meng K. K.); Lu J (Lu J.); Wang SL (Wang S. L.); Meng HJ (Meng H. J.); Zhao JH (Zhao J. H.); Misuraca J (Misuraca J.); Xiong P (Xiong P.); von Molnar S (von Molnar S.)
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: Zhou XL (Zhou X. L.); Chen YH (Chen Y. H.); Jia CH (Jia C. H.); Ye XL (Ye X. L.); Xu B (Xu Bo); Wang ZG (Wang Z. G.); Zhou, XL, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Key Lab Semicond Mat Sci, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: zhouxl06@semi.ac.cn
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: Liang S (Liang S.); Zhu HL (Zhu H. L.); Kong DH (Kong D. H.); Wang W (Wang W.); Liang, S, Chinese AcadSci, InstSemicond, Key Lab Semicond Mat, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: liangsong@red.semi.ac.cn
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: Liu JM (Liu J. M.); Liu XL (Liu X. L.); Xu XQ (Xu X. Q.); Wang J (Wang J.); Li CM (Li C. M.); Wei HY (Wei H. Y.); Yang SY (Yang S. Y.); Zhu QS (Zhu Q. S.); Fan YM (Fan Y. M.); Zhang XW (Zhang X. W.); Wang ZG (Wang Z. G.)
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