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Electrical properties of GaN deposited on nitridated sapphire by molecular beam epitaxy using NH3 cracked on the growing surface 会议论文
JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, 201, CANNES, FRANCE, AUG 31-SEP 04, 1998
作者:  Zhang JP;  Sun DZ;  Li XB;  Wang XL;  Kong MY;  Zeng YP;  Li JM;  Lin LY;  Zhang JP Chinese Acad Sci Inst Semicond POB 912 Beijing 100083 Peoples R China.
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Stress  Growth  
Structural and infrared absorption properties of self-organized InGaAs GaAs quantum dots multilayers 会议论文
JOURNAL OF ELECTRONIC MATERIALS, 28 (5), CHARLOTTESVILLE, VIRGINIA, JUN 24-26, 1998
作者:  Zhuang QD;  Li JM;  Zeng YP;  Pan L;  Chen YH;  Kong MY;  Lin LY;  Zhuang QD Chinese Acad Sci Inst Semicond Novel Mat Ctr POB 912 Beijing 100083 Peoples R China.
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InGaas Gaas Quantum Dots  Infrared Absorption  Self-organization  X-ray-diffraction  Islands  Transitions  
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Zhang JP;  Sun DZ;  Wang XL;  Kong MY;  Zeng YP;  Li JM;  Lin LY;  Zhang JP,Chinese Acad Sci,Inst Semicond,Novel Mat Ctr,POB 912,Beijing 100083,Peoples R China.
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Liu Y;  Xiao XR;  Zeng YP;  Pan D;  Xiao XR,Chinese Acad Sci,Inst Chem,Ctr Mol Sci,Lab Photochem,Beijing 100083,Peoples R China.
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Zhang JP;  Sun DZ;  Li XB;  Wang XL;  Kong MY;  Zeng YP;  Li JM;  Lin LY;  Zhang JP,Chinese Acad Sci,Inst Semicond,POB 912,Beijing 100083,Peoples R China.
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Zhuang QD;  Li JM;  Zeng YP;  Pan L;  Li HX;  Kong MY;  Lin LY;  Zhuang QD,Chinese Acad Sci,Inst Semicond,Novel Mat Ctr,POB 912,Beijing 100083,Peoples R China.
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Kong MY;  Wang XL;  Pan D;  Zeng YP;  Wang J;  Ge WK;  Kong MY,Chinese Acad Sci,Inst Semicond,POB 912,Beijing 100083,Peoples R China.
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Zhang JP;  Sun DZ;  Wang XL;  Kong MY;  Zeng YP;  Li JM;  Lin LY;  Zhang JP,Chinese Acad Sci,Inst Semicond,Novel Mat Ctr,POB 912,Beijing 100083,Peoples R China.
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Zhuang QD;  Li JM;  Zeng YP;  Pan L;  Chen YH;  Kong MY;  Lin LY;  Zhuang QD,Chinese Acad Sci,Inst Semicond,Novel Mat Ctr,POB 912,Beijing 100083,Peoples R China.
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