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| Ⅲ族氮化物单/多层异质应变薄膜的制作方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2002-08-21, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人: 陈振; 陆大成; 刘祥林; 王晓晖; 袁海荣; 王占国
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| 铟镓氮薄膜的快速填埋生长方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2002-07-31, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人: 韩培德 ; 刘祥林; 王晓晖; 陆大成
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| 自钝化非平面结三族氮化物半导体器件及其制造方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2002-06-19, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人: 陆大成; 王晓晖; 姚文卿; 刘祥林
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| 半导体面发光器件及增强横向电流扩展的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2002-03-06, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人: 刘祥林; 陆大成; 王晓晖; 袁海荣
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| Design of side-pumped Nd : YAG lasers 会议论文
HIGH-POWER LASERS AND APPLICATIONS II, 4914, SHANGHAI, PEOPLES R CHINA, OCT 15-18, 2002
作者: Liu YA; Fang GZ; Ma XY; Xiao JW; Liu YA CAS Inst Semicond Beijing 100083 Peoples R China.
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Diode Laser Side-pumped Ray Tracing Matrix Non-paraxial Light Rod Laser |
| 无权访问的条目 期刊论文
作者: 胡桂青; 孔翔; 王乙潜; 万里; 段晓峰; 陆沅; 刘祥林
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: 张存善; 张延生; 段晓峰; 赵红东; 刘文楷
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: 孙殿照; 王晓亮; 胡国新; 王军喜; 刘宏新; 刘成海; 曾一平; 李晋闽; 林兰英
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: 章蓓; 栾峰; 徐军; 金艳波; 徐万劲; 张会珍; 钱怡; 马骁宇; 朱恪; 刘玉龙
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: Wang Xiaowei; Xiao Jianwei; Ma Xiaoyu; Wang Zhongming; Fang Gaozhan; Feng Xiaoming; Liu Yuanyuan; Liu Bin; Zhang Jingming
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