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提高氮化镓材料载流子迁移率的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-06-04, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  赵德刚;  朱建军;  杨辉;  梁骏吾
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Wang X;  Wu AM;  Chen J;  Wu YX;  Zhu JJ;  Yang H;  Wang, X, Chinese Acad Sci, State Key Lab Funct Mat Informat, Shanghai Inst Microsyst & Informat Technol, 865 Changning Rd, Shanghai 200050, Peoples R China. 电子邮箱地址: xxwang@mail.sim.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Sun, Q;  Wang, JT;  Wang, H;  Jin, RQ;  Jiang, DS;  Zhu, JJ;  Zhao, DG;  Yang, H;  Zhou, SQ;  Wu, MF;  Smeets, D;  Vantomme, A;  Sun, Q, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, State Key Lab Integrated Optoelect, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: sunqian519@gmail.com
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Zhang, PF;  Wei, HY;  Cong, GW;  Hu, WG;  Fan, HB;  Wu, JJ;  Zhu, QS;  Liu, XL;  Zhang, PF, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Key Lab Semicond Mat Sci, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: zhangpanf@semi.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Wu, JJ;  Zhao, LB;  Zhang, GY;  Liu, XL;  Zhu, QS;  Wang, ZG;  Jia, QJ;  Guo, LP;  Hu, TD;  Wu, JJ, Peking Univ, Sch Phys, State Key Lab Artificial Microstruct & Mesoscop P, Res Ctr Wide Gap Semicond, Beijing 100871, Peoples R China. 电子邮箱地址: jiejunw@red.semi.ac.cn
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