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硅基光子集成的器件及制作方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2003-11-05, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  黄昌俊;  邓晓清;  成步文;  王红杰;  杨沁清;  余金中;  胡雄伟;  王启明
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Influence of In0.2Ga0.8As strain-reducing layer on the active region of quantum dot superluminescent diodes 会议论文
QUANTUM CONFINED SEMICONDUCTOR NANOSTRUCTURES, 737, BOSTON, MA, DEC 02, 2001-DEC 05, 2002
作者:  Zhang ZY;  Li CM;  Jin P;  Meng XQ;  Xu B;  Ye XL;  Wang ZG;  Zhang ZY Chinese Acad Sci Inst Semicond Key Lab Semicond Mat Sci Beijing 100083 Peoples R China.
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Spectrum  
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Zhang ZY;  Jin P;  Li CM;  Ye XL;  Meng XQ;  Xu B;  Liu FQ;  Wang ZG;  Zhang ZY,Chinese Acad Sci,Inst Semicond,Key Lab Semicond Mat Sci,POB 912,Beijing 100083,Peoples R China.
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Li CM;  Liu FQ;  Zhang ZY;  Meng XQ;  Jin P;  Wang ZG;  Li CM,Chinese Acad Sci,Inst Semicond,Key Lab Semicond Mat Sci,POB 912,Beijing 100083,Peoples R China.
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Zhang ZY;  Yang CL;  Wei YQ;  Ye XL;  Jin P;  Li CM;  Meng XQ;  Xu B;  Wang ZG;  Zhang ZY,Chinese Acad Sci,Inst Semicond,Key Lab Semicond Mat Sci,POB 912,Beijing 100083,Peoples R China.
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Cen LX;  Li XQ;  Yan YJ;  Zheng HZ;  Wang SJ;  Cen LX,Chinese Acad Sci,Inst Semicond,NLSM,Beijing 100083,Peoples R China.
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Jin P;  Meng XQ;  Zhang ZY;  Li CM;  Xu B;  Liu FQ;  Wang ZG;  Li YG;  Zhang CZ;  Pan SH;  Jin P,Chinese Acad Sci,Inst Semicond,Key Lab Semicond Mat Sci,POB 912,Beijing 100083,Peoples R China. 电子邮箱地址: pengjin@red.semi.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  殷景志;  刘素萍;  刘宗顺;  王新强;  殷宗友;  李正庭;  杨树人;  杜国同
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