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窄条选择外延技术制作铝铟镓砷掩埋脊波导激光器及方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2006-11-29, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  冯文;  潘教青;  赵玲娟;  朱洪亮;  王圩
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宽光谱、大功率的半导体超辐射发光二极管及制作方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2006-10-18, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  李宝霞;  张靖;  赵玲娟;  王圩
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半导体激光器无源对准耦合与高频封装用硅基版 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2006-06-14, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  杨华;  朱洪亮;  赵玲娟;  王圩
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波长可调谐分布布拉格反射半导体激光器的制作方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2006-03-15, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  张靖;  赵玲娟;  王圩
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半导体光电子功能材料集成技术平台 成果
2006
主要完成人:  王圩;  朱红亮;  赵玲娟;  周帆;  潘教青;  王宝军;  边静
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Jiao YH (Jiao Y. H.);  Wu J (Wu J.);  Xu B (Xu B.);  Jin P (Jin P.);  Hu LJ (Hu L. J.);  Liang LY (Liang L. Y.);  Ren YY (Ren Y. Y.);  Wang ZG (Wang Z. G.);  Jiao, YH, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Key Lab Semicond Mat Sci, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China.
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Feng W (Feng W.);  Ding Y (Ding Y.);  Pan JQ (Pan J. Q.);  Zhao LJ (Zhao L. J.);  Zhu HL (Zhu H. L.);  Wang W (Wang W.);  Feng, W, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, State Key Lab Integrated Optoelect, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. E-mail: wfeng@semi.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Gu JH (Gu Jinhua);  Zhu MF (Zhu Meifang);  Wang LJ (Wang Liujiu);  Liu FZ (Liu Fengzhen);  Zhou BQ (Zhou Bingqing);  Ding K (Ding Kun);  Li GH (Li Guohua);  Zhu, MF, Chinese Acad Sci, Grad Sch, Coll Phys Sci, POB 4588, Beijing 100049, Peoples R China. E-mail: mfzhu@gucas.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Jiao YH (Jiao Y. H.);  Wu J (Wu J.);  Xu B (Xu B.);  Jin P (Jin P.);  Hu LJ (Hu L. J.);  Liang LY (Liang L. Y.);  Wang ZG (Wang Z. G.);  Jiao, YH, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Key Lab Semicond Mat Sci, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. E-mail: jiaoyuheng@mail.semi.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Pan JQ (Pan Jiao-Qing);  Zhao Q (Zhao Qian);  Zhu HL (Zhu Hong-Liang);  Zhao LJ (Zhao Ling-Juan);  Ding Y (Ding Ying);  Wang BJ (Wang Bao-Jun);  Zhou F (Zhou Fan);  Wang LF (Wang Lu-Feng);  Wang W (Wang Wei);  Pan, JQ, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Optoelect Res & Dev Ctr, Beijing 100083, Peoples R China. E-mail: jqpan@red.semi.ac.cn
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