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利用缓冲层在硅衬底上生长氧化锌薄膜的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2006-10-04, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  沈文娟;  曾一平;  王启元;  王俊
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利用氧化锌缓冲层生长单晶氧化锌薄膜的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2006-10-04, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  沈文娟;  曾一平;  王俊
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在硅衬底上低温生长高结晶质量氧化锌薄膜的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2006-03-01, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  沈文娟;  曾一平;  王启元;  王俊
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MOCVD ZnO 外延材料制备及性能研究 学位论文
, 北京: 中国科学院半导体研究所, 2006
作者:  沈文娟
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Liu JP (Liu J. P.);  Shen GD (Shen G. D.);  Zhu JJ (Zhu J. J.);  Zhang SM (Zhang S. M.);  Jiang DS (Jiang D. S.);  Yang H (Yang H.);  Liu, JP, Beijing Univ Technol, Beijing Optoelect Technol Lab, Pingleyuan 100, Beijing 100022, Chaoyang Dist, Peoples R China. E-mail: jianpingliu76@hotmail.com
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Li J (Li Jingbo);  Wei SH (Wei Su-Huai);  Li SS (Li Shu-Shen);  Xia JB (Xia Jian-Bai);  Li, J, Natl Renewable Energy Lab, Golden, CO 80401 USA.
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Optical and structural properties of ZnO films grown on Si(100) substrates by MOCVD - art. no. 60290G 会议论文
ICO20 MATERIALS AND NANOSTRUCTURES丛书标题: PROCEEDINGS OF THE SOCIETY OF PHOTO-OPTICAL INSTRUMENTATION ENGINEERS (SPIE), Changchun, PEOPLES R CHINA, AUG 21-26, 2005
作者:  Shen, WJ;  Duan, Y;  Wang, J;  Wang, QY;  Zeng, YP;  Shen, WJ, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Ctr Mat Sci, Beijing 100083, Peoples R China.
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Zno  Mocvd  Thermal Annealing  Photoluminescence  X-ray Diffraction  Atomic Force Microscopy  Pulsed-laser Deposition  Thin-films  Photoluminescence  Mechanisms  Epitaxy  Cvd  Si  
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Song L (Song Li);  Ci LJ (Ci Lijie);  Jin CH (Jin Chuanhong);  Tan PH (Tan Pingheng);  Sun LF (Sun Lianfeng);  Ma WJ (Ma Wenjun);  Liu LF (Liu Lifeng);  Liu DF (Liu Dongfang);  Zhang ZX (Zhang Zengxing);  Xiang YJ (Xiang Yanjuan);  Luo SD (Luo Shudong);  Zhao XW (Zhao Xiaowei);  Shen J (Shen Jun);  Zhou JJ (Zhou Jianjun);  Zhou WY (Zhou Weiya);  Xie SS (Xie Sishen);  Xie, SS, Chinese Acad Sci, Inst Phys, Beijing Natl Lab Condensed Matter Phys, POB 603, Beijing 100080, Peoples R China. E-mail: ssxie@aphy.iphy.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Shen WJ;  Wang J;  Wang QY;  Duan Y;  Zeng YP;  Shen, WJ, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Novel Mat Lab, Beijing 100083, Peoples R China. E-mail: wjshen@semi.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Wang FZ;  Chen ZH;  Sun J;  Bai LH;  Huang SH;  Xiong H;  Jin P;  Wang ZG;  Shen SC;  Chen, ZH, Fudan Univ, Dept Phys, Surface Phys Lab, Shanghai 200433, Peoples R China. E-mail: zhanghai@fudan.edu.cn
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