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高电子迁移率晶体管及其制作方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2001-12-12, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  潘钟
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Selective intermixing of Ga(In)NAs/GaAs quantum well structures usingSiO(2) encapsulation and rapid thermal annealing 会议论文
APOC 2001: ASIA-PACIFIC OPTICAL AND WIRELESS COMMUNICATIONS: OPTOELECTRONICS, MATERIALS, AND DEVICES FOR COMMUNICATIONS, 4580, BEIJING, PEOPLES R CHINA, NOV 12-15, 2001
作者:  Xu YQ;  Li LH;  Pan Z;  Lin YW;  Wang QM;  Xu YQ Chinese Acad Sci Inst Semicond State Key Lab Integrated Optoelect POB 912 Beijing 100083 Peoples R China.
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Molecular-beam Epitaxy  Mu-m  
1.3 mu m GaInNAs/GaAs multiple-quantum-wells resonant-cavity-enhanced photodetectors 会议论文
APOC 2001: ASIA-PACIFIC OPTICAL AND WIRELESS COMMUNICATIONS: OPTOELECTRONICS, MATERIALS, AND DEVICES FOR COMMUNICATIONS, 4580, BEIJING, PEOPLES R CHINA, NOV 12-15, 2001
作者:  Zhang W;  Pan Z;  Li LH;  Zhang RK;  Lin YW;  Wu RG;  Zhang W Chinese Acad Sci Inst Semicond POB 912 Beijing 100083 Peoples R China.
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Gainnas  Photodetector  Resonant Cavity Enhanced  High Speed Property  Molecular-beam Epitaxy  Schottky Photodiodes  Performance  Efficiency  Operation  Bandwidth  Design  Si  
Growth and characterization of GaInNAs/GaAs by plasma-assisted molecular beam epitaxy 会议论文
JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, 227, BEIJING, PEOPLES R CHINA, SEP 11-15, 2000
作者:  Pan Z;  Li LH;  Zhang W;  Wang XU;  Lin YW;  Wu RH;  Pan Z Chinese Acad Sci Inst Semicond State Key Lab Integrated Optoelect POB 912 Beijing 100083 Peoples R China.
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Adsorption  Characterization  Radiation  Molecular Beam Epitaxy  Nitrides  Surface-emitting Laser  Quantum-wells  Operation  Range  
Quality improvement of GaInNAs/GaAs quantum wells grown by plasma-assisted molecular beam epitaxy 会议论文
JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, 227, BEIJING, PEOPLES R CHINA, SEP 11-15, 2000
作者:  Li LH;  Pan Z;  Zhang W;  Lin YW;  Wang XY;  Wu RH;  Li LH Chinese Acad Sci Inst Semicond State Key Lab Integrated Optoelect POB 912 Beijing 100083 Peoples R China.
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Characterization  Defects  X-ray Diffraction  Molecular Beam Epitaxy  Nitrides  Gaas  
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Pan Z;  Li LH;  Xu YQ;  Zhang W;  Lin YW;  Zhang RK;  Zhong Y;  Ren XM;  Pan Z,Chinese Acad Sci,Inst Semicond,POB 912,Beijing 100083,Peoples R China.
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Li LH;  Pan Z;  Xu YQ;  Du Y;  Lin YW;  Wu RH;  Li LH,Chinese Acad Sci,Inst Semicond,State Key Lab Integrated Optoelect,POB 912,Beijing 100083,Peoples R China.
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Tsang MS;  Wang JN;  Ge WK;  Li GH;  Fang ZL;  Chen Y;  Han HX;  Li LH;  Pan Z;  Tsang MS,Hong Kong Univ Sci & Technol,Dept Phys,Clear Water Bay,Kowloon,Hong Kong,Peoples R China.
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Pan Z;  Li LH;  Du Y;  Lin YW;  Wu RH;  Pan Z,Chinese Acad Sci,Inst Semicond,State Key Lab Integrated Optoelect,Beijing 100083,Peoples R China.
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Li LH;  Pan Z;  Zhang W;  Lin YW;  Wang XY;  Wu RH;  Li LH,Chinese Acad Sci,Inst Semicond,State Key Lab Integrated Optoelect,POB 912,Beijing 100083,Peoples R China.
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