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一种在硅衬底上生长无裂纹Ⅲ族氮化物的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2006-08-30, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  吴洁君;  韩修训;  李杰民;  黎大兵;  陆沅;  王晓晖
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Han P (Han Ping);  Li XQ (Li Xin-Qi);  Zhang HY (Zhang Houyu);  He GZ (He Guozhong);  Yan YJ (Yan Yijing);  Yan, YJ, Chinese Acad Sci, Dalian Inst Chem Phys, State Key Lab Mol React Dynam, Dalian 116023, Peoples R China. E-mail: yyan@ust.hk
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Wu JJ (Wu Jiejun);  Han XX (Han Xiuxun);  Li JM (Li Jiemin);  Wei HY (Wei Hongyuan);  Cong GW (Cong Guangwei);  Liu XL (Liu Xianglin);  Zhu QS (Zhu Qinsheng);  Wang ZG (Wang Zhanguo);  Jia QJ (Jia Quanjie);  Guo LP (Guo Liping);  Hu TD (Hu Tiandou);  Wang HH (Wang Huanhua);  Wu, JJ, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Key Lab Semicond Mat Sci, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. E-mail: jiejunw@red.semi.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  全宇军;  韩培德;  陆晓东;  叶志成;  窦金锋;  吴黎
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  陆晓东;  韩培德;  全宇军;  叶志成;  吴黎;  陈彦超;  赵春华
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  吴黎;  韩培德;  窦金峰;  叶志成;  全宇军;  陆晓东
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