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在解理面上制作半导体纳米结构的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2006-01-25, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  陈涌海;  张春玲;  崔草香;  徐波;  金鹏;  刘峰奇;  王占国
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Cao YL (Cao Yu-Lian);  Lian P (Lian Peng);  Ma WQ (Ma Wen-Quan);  Wang Q (Wang Qing);  Wu XM (Wu Xu-Ming);  He GR (He Guo-Rong);  Li H (Li Hui);  Wang XD (Wang Xiao-Dong);  Song GF (Song Guo-Feng);  Chen LH (Chen Liang-Hui);  Cao, YL, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Lab Nanooptoelect, Beijing 100083, Peoples R China. E-mail: caoyl@semi.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  胡小凤;  黎晓新;  吴慧娟;  陈品华;  曹晓光;  徐秀兰;  刘国栋;  李春安;  裴为华;  陈弘达;  隋晓红;  刘金彬
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  曹玉莲;  李慧;  何国荣;  王小东;  王青;  吴旭明;  宋国峰;  陈良惠
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  曹玉莲;  廉鹏;  王青;  吴旭明;  何国荣;  曹青;  宋国峰;  陈良惠
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