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用于氮化物外延生长的纳米级图形衬底的制作方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2009-02-25, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  闫发旺;  高海永;  樊中朝;  李晋闽;  曾一平;  王国宏;  张会肖;  王军喜;  张扬
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Yu HJ (Yu Hejun);  Yu JZ (Yu Jinzhong);  Yu Y (Yu Yude);  Fan ZC (Fan Zhong-Chao);  Chen SW (Chen Shaowu);  Yu, HJ, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: yhjun@red.semi.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Huang YZ (Huang Yong-Zhen);  Hu YH (Hu Yong-Hong);  Chen Q (Chen Qin);  Wang SJ (Wang Shi-Jiang);  Du Y (Du Yun);  Fan ZC (Fan Zhong-Chao);  Huang, YZ, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, State Key Lab Optoelect, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: yzhuang@semi.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Chen Q (Chen Qin);  Hu YH (Hu Yong-Hong);  Huang YZ (Huang Yong-Zhen);  Du Y (Du Yun);  Fan ZC (Fan Zhong-Chao);  Chen, Q, Chinese Acad Sci, State Key Lab Integrated Optoelect, Inst Semicond, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: chenqin@red.semi.ac.cn;  huyh@red.serm.ac.cn;  yzhuang@red.semi.ac.cn;  duyun@red.semi.ac.cn;  zcfan@semi.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Ma XT (Ma Xiao-Tao);  Zheng WH (Zheng Wan-Hua);  Ren G (Ren Gang);  Fan ZC (Fan Zhong-Chao);  Chen CH (Chen Chang-Hui);  Zheng, WH, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Nanooptoelect Lab, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: whzheng@red.semi.ac.cn
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Continuous-wave electrically injected InP/GaInAsP equilateral-triangle-resonator lasers 会议论文
ICTON 2007 Proceedings of the 9th International Conference on Transparent Optical Networks, Rome, ITALY, JUL 01-05, 2007
作者:  Huang YZ (Huang Yong-Zhen);  Hu YH (Hu Yong-Hong);  Chen Q (Chen Qin);  Wang SJ (Wang Shi-Jiang);  Du Y (Du Yun);  Fan ZC (Fan Zhong-Chao);  Huang, YZ, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, State Key Lab Integrated Optoelect, Beijing 100083, Peoples R China.
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Optical Resonators  
基于脊形光波导的强限制多模干涉耦合器的制作方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2005-09-21, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  樊中朝;  余金中;  陈少武;  王章涛;  陈媛媛;  李艳萍
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一种新截面形状的绝缘体上硅脊形光波导及其制作方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2005-06-22, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  樊中朝;  余金中;  陈少武;  杨笛
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ICP刻蚀技术及其在SOI波导器件制作中的应用 学位论文
, 北京: 中国科学院半导体研究所, 2004
作者:  樊中朝
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