中文版 | English

在结果中检索

SEMI OpenIR

浏览/检索结果: 共17条，第1-10条 帮助

限定条件    
已选(0)清除 条数/页：   排序方式：
在硅衬底上磁控溅射制备铁磁性锰硅薄膜的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2006-12-27, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  刘力锋;  陈诺夫;  尹志岗;  杨霏;  柴春林
Adobe PDF(291Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1452/202  |  提交时间：2009/06/11
微波光子晶体共面波导在高速光电子器件封装中的应用 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2006-09-20, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  伞海生;  黄亨沛;  刘宇;  祝宁华
Adobe PDF(432Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1193/217  |  提交时间：2009/06/11
具有微波光子晶体结构接地层的高速印刷电路板 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2006-07-26, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  伞海生;  刘超;  祝宁华
Adobe PDF(414Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1256/165  |  提交时间：2009/06/11
一种制备金属铪薄膜材料的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2006-07-05, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  杨少延;  柴春林;  刘志凯;  陈涌海;  陈诺夫;  王占国
Adobe PDF(1622Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1082/117  |  提交时间：2009/06/11
一种制备金属锆薄膜材料的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2006-07-05, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  杨少延;  柴春林;  刘志凯;  陈涌海;  陈诺夫;  王占国
Adobe PDF(1501Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1200/153  |  提交时间：2009/06/11
一种制备三元高K栅介质材料的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2006-05-31, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  李艳丽;  陈诺夫;  刘立峰;  尹志刚;  杨菲;  柴春林
Adobe PDF(375Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1062/169  |  提交时间：2009/06/11
利用离子束外延生长设备制备氮化锆薄膜材料的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2006-05-31, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  杨少延;  柴春林;  刘志凯;  陈涌海;  陈诺夫;  王占国
Adobe PDF(1262Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1084/148  |  提交时间：2009/06/11
利用离子束外延生长设备制备氮化铪薄膜材料的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2006-05-31, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  杨少延;  柴春林;  刘志凯;  陈涌海;  陈诺夫;  王占国
Adobe PDF(1337Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1112/128  |  提交时间：2009/06/11
垂直腔面发射激光器TO同轴封装测试用的夹具 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2006-05-17, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  刘超;  袁海庆;  张尚剑;  王欣;  祝宁华
Adobe PDF(331Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1076/181  |  提交时间：2009/06/11
单相钆硅化合物以及制备方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2006-05-10, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  李艳丽;  陈诺夫;  杨少延;  刘志凯
Adobe PDF(391Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1029/151  |  提交时间：2009/06/11