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带有外加磁场的深能级测量样品架装置 专利
专利类型: 实用新型, 申请日期: 2004-10-06, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  卢励吾;  张砚华;  葛惟昆
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Lu W;  Li DB;  Li CR;  Zhang Z;  Li, CR, Chinese Acad Sci, Beijing Lab Electron Microscopy, Inst Phys, POB 603, Beijing 100080, Peoples R China. 电子邮箱地址: crli@aphy.iphy.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Lu Y;  Liu XL;  Wang XH;  Lu DC;  Li DB;  Han XX;  Cong GW;  Wang ZG;  Lu, Y, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Key Lab Semicond Mat Sci, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: yuanlu@red.semi.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Li, JM;  Lu, YW;  Li, DB;  Han, XX;  Zhu, QS;  Liu, XL;  Wang, ZG;  Li, JM, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: jiemli@red.semi.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Lu, W;  Li, DB;  Li, CR;  Shen, F;  Zhang, Z;  Li, CR, Chinese Acad Sci, Inst Phys, Beijing Lab Electron Microscopy, POB 603, Beijing 100080, Peoples R China. 电子邮箱地址: crli@aphy.iphy.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Wu, JJ;  Li, DB;  Lu, Y;  Han, XX;  Li, JM;  Wei, HY;  Kang, TT;  Wang, XH;  Liu, XL;  Zhu, QS;  Wang, ZG;  Wu, JJ, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Key Lab Semicond Mat Sci, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: jiejunw@red.semi.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  边历锋;  江德生;  陆书龙
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Bian LF;  Jiang DS;  Tan PH;  Lu SL;  Sun BQ;  Li LH;  Harmand, JC;  Bian, LF, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, State Key Lab Superlattices & Microstruct, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: lfbian@pdi-berlin.de
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  王勇刚;  马骁宇;  吕卉;  王丽明;  刘媛媛
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Xue Yinghong;  Wang Qingyue;  Zhang Zhigang;  Lu Chai;  Wang Zhuan;  Han Yingkui;  Sun Hong;  Li Jing;  Wang Jiyang;  Wang Yonggang;  Ma Xiaoyu;  Song Yanrong
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