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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Huolei Wang, Liang Kong, David Bajek, Stephanie Haggett, Xiaoling Wang, Bifeng Cui, Jiaoqing Pan, Ying Ding, and Maria Ana Cataluna
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Wang H;  Wang LL;  Sun X;  Zhu JH;  Liu WB;  Jiang DS;  Zhu JJ;  Zhao DG;  Liu ZS;  Wang YT;  Zhang SM;  Yang H;  Wang H Chinese Acad Sci Inst Semicond State Key Lab Integrated Optoelect POB 912 Beijing 100083 Peoples R China. E-mail Address: wangh@red.semi.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Wang LL;  Wang H;  Chen J;  Sun X;  Zhu JJ;  Jiang DS;  Yang H;  Liang JW;  Wang, LL, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, State Key Lab Integrated Optoelect, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: wangll@red.semi.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Wang Liang;  Zhao Yongmei;  Ning Jin;  Sun Guosheng;  Wang Lei;  Liu Xingfang;  Zhao Wanshun;  Zeng Yiping;  Li Jinmin
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Heavily doped polycrystalline 3C-SiC growth on SiO2/Si(100) substrates for resonator applications 会议论文
Silicon Carbide and Related Materials 2006丛书标题: MATERIALS SCIENCE FORUM, Newcastle upon Tyne, ENGLAND, SEP, 2006
作者:  Sun, G (Sun, Guosheng);  Ning, J (Ning, Jin);  Liu, X (Liu, Xingfang);  Zhao, Y (Zhao, Yongmei);  Li, J (Li, Jiaye);  Wang, L (Wang, Lei);  Zhao, W (Zhao, Wanshun);  Wang, L (Wang, Liang);  Sun, G, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Beijing 100083, Peoples R China.
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Polycrystalline 3c-sic  Resonator  Doping  Silicon-carbide  
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Wang H;  Huang Y;  Sun Q;  Chen J;  Zhu JJ;  Wang LL;  Wang YT;  Yang H;  Wu MF;  Qu YH;  Jiang DS;  Wang, H, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, State Key Lab Integrated Optoelect, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: wangh@red.semi.ac.cn
Adobe PDF(287Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：970/337  |  提交时间：2010/03/29