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中国科学院半导体研究所机构知识库
Knowledge Management System Of Institute of Semiconductors,CAS
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研究单元&专题
中科院半导体材料科学... [7]
作者
张汉 [2]
汪宇 [1]
施辉伟 [1]
黄添懋 [1]
文献类型
专利 [5]
期刊论文 [2]
发表日期
2012 [2]
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中文 [4]
英语 [2]
出处
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SOLID STAT... [1]
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专题:中科院半导体材料科学重点实验室
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无权访问的条目
期刊论文
作者:
Shi LW (Shi, Liwei)
;
Wu L (Wu, Ling)
;
Duan YF (Duan, Yifeng)
;
Hao LZ (Hao, Lanzhong)
;
Hu J (Hu, Jing)
;
Yang XQ (Yang, Xianqing)
;
Tang G (Tang, Gang)
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收藏
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浏览/下载:688/239
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提交时间:2013/03/26
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Shi LW (Shi, Liwei)
;
Duan YF (Duan, Yifeng)
;
Yang XQ (Yang, Xianqing)
;
Tang G (Tang, Gang)
;
Qin LX (Qin, Lixia)
;
Qiu L (Qiu, Liang)
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浏览/下载:1151/295
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提交时间:2013/03/27
增强n-ZnO/AlN/p-GaN发光二极管的电致发光性能的方法
专利
专利类型: 发明, 专利号: CN102394263A, 公开日期: 2012-09-09, 2012-09-09, 2012-09-09
发明人:
尹志岗
;
张曙光
;
张兴旺
;
董敬敬
;
高红丽
;
施辉东
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浏览/下载:1210/201
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提交时间:2012/09/09
增强ZnO基发光二极管紫光电致发光性能的方法
专利
专利类型: 发明, 专利号: CN102394264A, 公开日期: 2012-09-09, 2012-09-09, 2012-09-09
发明人:
张兴旺
;
张曙光
;
尹志岗
;
董敬敬
;
高红丽
;
施辉东
Adobe PDF(399Kb)
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浏览/下载:1164/183
  |  
提交时间:2012/09/09
利用磁控溅射在石墨衬底上生长多晶硅薄膜的方法
专利
专利类型: 发明, 专利号: CN200910242346.1, 公开日期: 2011-08-31
发明人:
施辉伟
;
陈诺夫
;
黄添懋
;
尹志岗
;
吴金良
;
张汉
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浏览/下载:1226/204
  |  
提交时间:2011/08/31
在玻璃衬底上制备P型多晶硅薄膜的方法
专利
专利类型: 发明, 专利号: CN200910241692.8, 公开日期: 2011-08-31
发明人:
黄添懋
;
陈诺夫
;
施辉伟
;
尹志岗
;
吴金良
;
王彦硕
;
汪宇
;
张汉
Adobe PDF(242Kb)
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浏览/下载:1621/254
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提交时间:2011/08/31
ZnO纳米棒发光二极管及其制作方法
专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2012-08-01
发明人:
施辉东
;
张兴旺
;
张曙光
;
尹志岗
;
董敬敬
;
刘鑫
Adobe PDF(264Kb)
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浏览/下载:787/92
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提交时间:2014/10/29