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| 锑化镓和砷化铟衬底的抛光损伤及晶格完整性研究 学位论文
工学硕士, 中国科学院半导体研究所: 中国科学院大学, 2023
作者: 冯银红
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| 锑化物超晶格长波红外探测器理论设计及其焦平面器件 学位论文
, 中国科学院半导体研究所: 中国科学院大学, 2022
作者: 崔素宁
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| III-V族半导体材料中的圆偏振光学性质研究 学位论文
, 中国科学院半导体研究所: 中国科学院大学, 2022
作者: 吴静
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| 低位错III-V族单晶衬底InP、GaSb和InAs的残留应力及其退火消除研究 学位论文
, 中国科学院半导体研究所: 中国科学院大学, 2021
作者: 周媛
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| 无权访问的条目 学位论文
作者: 谢圣文
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| InAs单晶位错和杂质条纹的识别及相关材料性质研究 学位论文
, 中国科学院半导体研究所: 中国科学院大学, 2020
作者: 孙静
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| GaSb原生受主缺陷对施掺杂激活及其器件应用的影响 学位论文
, 中国科学院半导体研究所: 中国科学院大学, 2019
作者: 余丁
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| 无权访问的条目 学位论文
作者: 于天
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| InAs单晶原生缺陷、Mn掺杂及相关光电性质研究 学位论文
, 北京: 中国科学院研究生院, 2018
作者: 沈桂英
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Inas单晶 热退火 离子注入 缺陷复合体 杂质带电导 |
| 面向新型红外探测应用的GaSb单晶制备、物性及缺陷控制 学位论文
, 北京: 中国科学院研究生院, 2018
作者: 白永彪
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