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CdX(X=S, Se, Te)半导体体材料及纳米线应变效应的第一性原理研究 学位论文
, 北京: 中国科学院研究生院, 2017
作者:  相琳琳
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第一性原理计算  电子结构性质  单轴应变  Ii-vi族半导体材料  纳米线  
六方氮化硼及其与石墨烯异质结构的制备与性质研究 学位论文
, 北京: 中国科学院研究生院, 2017
作者:  孟军华
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石墨烯  六方氮化硼  异质结  杂化薄膜  
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Zhi-Qiang Fan;  Xiang-Wei Jiang;  Zhongming Wei;  Jun-Wei Luo;  Shu-Shen Li
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Wenqi Xiong;  Congxin Xia;  Juan Du;  Tianxing Wang;  Yuting Peng;  Zhongming Wei;  Jingbo Li
Adobe PDF(3864Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：220/2  |  提交时间：2018/06/01
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Xiaomeng Zhao;  Yang Zhang;  Min Guan;  Lijie Cui;  Baoqiang Wang;  Zhanping Zhu;  Yiping Zeng
Adobe PDF(1890Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：157/1  |  提交时间：2018/06/15