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CdX(X=S, Se, Te)半导体体材料及纳米线应变效应的第一性原理研究 学位论文
, 北京: 中国科学院研究生院, 2017
作者:  相琳琳
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第一性原理计算  电子结构性质  单轴应变  Ii-vi族半导体材料  纳米线  
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Zhi-Qiang Fan;  Xiang-Wei Jiang;  Zhongming Wei;  Jun-Wei Luo;  Shu-Shen Li
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Wenqi Xiong;  Congxin Xia;  Juan Du;  Tianxing Wang;  Yuting Peng;  Zhongming Wei;  Jingbo Li
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