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Characterization of self-organized InAs/GaAs quantum dots under strain-induced and temperature-controlled nucleation mechanisms by atomic force microscopy and photoluminescence spectroscopy 会议论文
2008 2ND IEEE INTERNATIONAL NANOELECTRONICS CONFERENCE, Shanghai, PEOPLES R CHINA, MAR 24-27, 2008
作者:  Liang, LY;  Ye, XL;  Jin, P;  Chen, YH;  Wang, ZG;  Liang, LY, Chinese Acad Sci, Key Lab Semicond Mat Sci, Inst Semicond, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China.
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Induced Refractive-index  Growth  Lasers  Gaas  
Self-assembled GaAs quantum rings by MBE droplet epitaxy 会议论文
Nanoscience and Technology丛书标题: SOLID STATE PHENOMENA, Beijing, PEOPLES R CHINA, JUN 09-11, 2005
作者:  Huang, SS (Huang, Shesong);  Niu, ZC (Niu, Zhichuan);  Xia, JB (Xia, Jianbai);  Huang, SS, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, State Key Lab Superlattices & Microstruct, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China.
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Quantum Single Rings  Concentric Quantum Double Rings  Coupled Concentric Quantum Double Ring  Droplet Epitaxy  
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Dai Ruixuan;  Chen Nuofu;  Zhang Xingwang;  Peng Changtao;  Wu Jinliang
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Sun, J;  Jin, P;  Wang, ZG;  Zhang, HZ;  Wang, ZY;  Hu, LZ;  Sun, J, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Key Lab Semicond Mat Sci, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: albertjefferson@sohu.com
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Zhu ZP(朱占平);  Wang Xiaofeng;  Zeng Yiping;  Wang Baoqiang;  Zhu Zhanping;  Du Xiaoqing;  Li Min;  Chang Benkang
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High-mobility Ga-polarity GaN achieved by NH3-MBE 会议论文
GAN AND RELATED ALLOYS-2002, 743, BOSTON, MA, DEC 02-06, 2002
作者:  Wang JX;  Wang XL;  Sun DZ;  Li JM;  Zeng YP;  Hu GX;  Liu HX;  Lin LY;  Wang JX Chinese Acad Sci Inst Semicond Mat Ctr POB 912 Beijing 100083 Peoples R China.
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Molecular-beam Epitaxy  Ion-scattering Spectroscopy  Lattice Polarity  Single-crystals  Films  Polarization  Gan(0001)  Surfaces  Growth  Diodes  
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Liao MY;  Zhang JH;  Qin FG;  Liu ZK;  Yang SY;  Wang ZG;  Lee ST;  Liao MY,Chinese Acad Sci,Inst Semicond,Lab Semicond Mat Sci,Beijing 100083,Peoples R China.
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Zhao MS;  Dai ZX;  Li GH;  Wang RZ;  Jiang DS;  Zhao MS,Qufu Normal Univ,Laser Res Inst,Shandong 273165,Peoples R China. 电子邮箱地址: mszhao@ji-public.sd.cninfo.net
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