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用于光通信的III族氮化物LED特性与制务技术研究 学位论文
, 北京: 中国科学院研究生院, 2015
作者:  朱邵歆
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硅衬底氮化镓材料制备生长研究 学位论文
, 北京: 中国科学院大学, 2015
作者:  冯玉霞
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Si衬底  Aln  Gan  生长机制  应力  
蓝宝石衬底氮化铝材料HVPE生长研究 学位论文
, 北京: 中国科学院研究生院, 2015
作者:  孔苏苏
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氮化铝 Hvpe 应力  
负电子亲和势AlN平面冷阴极发射特性研究 学位论文
, 北京: 中国科学院研究生院, 2015
作者:  侍铭
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Aln  冷阴极  场致电子发射  硅掺杂  击穿  
Si(111)衬底上GaN外延的MOCVD生长及特性研究 学位论文
, 北京: 中国科学院研究生院, 2015
作者:  赵丹梅
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Gan  Mocvd  
高功率半导体激光器寿命预测方法的研究 学位论文
, 北京: 中国科学院大学, 2015
作者:  姚南
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硅基一维横向纳米材料及器件研究 学位论文
, 北京: 中国科学院大学, 2015
作者:  张大林
Adobe PDF(5527Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:719/40  |  提交时间:2015/06/01
Si 基  一维纳米材料  Gesn 一维横向生长  横向转移  
锗锡材料特性以及相关光电子器件研究 学位论文
, 北京: 中国科学院研究生院, 2015
作者:  张东亮
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锗锡  硅基光电子  探测器  近红外  双异质结激光器  
用于光通信的III族氮化物LED特性及制备技术研究 学位论文
, 北京: 中国科学院大学, 2015
作者:  朱邵歆
Adobe PDF(8280Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:810/43  |  提交时间:2015/06/02
可见光通信  Led  Iii族氮化物  
无权访问的条目 学位论文
作者:  洪文婷
Adobe PDF(4143Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:351/11  |  提交时间:2015/06/02