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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Zhou XL;  Chen YH;  Li TF;  Zhou GY;  Zhang HY;  Ye XL;  Xu B;  Wang ZG;  Zhou, XL, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Key Lab Semicond Mat Sci, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. zhouxl06@semi.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  赵暕;  陈涌海;  王占国;  徐波
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Size and shape evolution of self-assembled coherent InAs/GaAs quantum dots influenced by seed layer 会议论文
JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, 227, BEIJING, PEOPLES R CHINA, SEP 11-15, 2000
作者:  Liu HY;  Xu B;  Ding D;  Chen YH;  Zhang JF;  Wu J;  Wang ZG;  Liu HY Chinese Acad Sci Inst Semicond Lab Semicond Mat Sci POB 912 Beijing 100083 Peoples R China.
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Low Dimensional Structures  Molecular Beam Epitaxy  Nanomaterials  Inas Islands  Gaas  Growth  Gaas(100)  Thickness  Density  
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Liu HY;  Xu B;  Ding D;  Chen YH;  Zhang JF;  Wu J;  Wang ZG;  Liu HY,Chinese Acad Sci,Inst Semicond,Lab Semicond Mat Sci,POB 912,Beijing 100083,Peoples R China.
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Liu HY;  Xu B;  Chen YH;  Ding D;  Wang ZG;  Liu HY,Chinese Acad Sci,Inst Semicond,Lab Semicond Mat Sci,POB 912,Beijing 100083,Peoples R China.
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Liu FQ;  Zhang YZ;  Zhang QS;  Ding D;  Xu B;  Wang ZG;  Jiang DS;  Sun BQ;  Liu FQ,Chinese Acad Sci,Inst Semicond,Lab Semicond Mat Sci,POB 912,Beijing 100083,Peoples R China.
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Li HX;  Wang ZG;  Liang JB;  Xu B;  Jiang C;  Gong Q;  Liu FQ;  Zhou W;  Li HX,Chinese Acad Sci,Inst Semicond,Lab Semicond Mat Sci,POB 912,Beijing 100083,Peoples R China.
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Li HX;  Wang ZG;  Liang JB;  Xu B;  Lu M;  Wu J;  Gong Q;  Jiang C;  Liu FQ;  Zhou W;  Li HX,Chinese Acad Sci,Inst Semicond,Lab Semicond Mat Sci,Beijing 100083,Peoples R China.
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Li HX;  Wang ZG;  Liang JB;  Xu B;  Wu J;  Gong Q;  Jiang C;  Liu FQ;  Zhou W;  Li HX,Chinese Acad Sci,Inst Semicond,Lab Semicond Mat Sci,POB 912,Beijing 10083,Peoples R China.
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