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InAs_GaAs量子点单光子源的制备及量子光源系统的集成 学位论文
, 中国科学院半导体研究所: 中国科学院大学, 2020
Authors:  何小武
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三五族化合物半导体材料的分子束外延技术研究 学位论文
, 中国科学院半导体研究所: 中国科学院大学, 2020
Authors:  苏大鸿
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硅基悬空结构微纳热电器件研究 学位论文
, 中国科学院半导体研究所: 中国科学院大学, 2020
Authors:  马哲
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透明导电薄膜辅助键合Ⅲ-ⅤSi混合型激光器研究 学位论文
, 中国科学院半导体研究所: 中国科学院大学, 2019
Authors:  秦璐
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多边形微腔和耦合微腔激光器的研究 学位论文
, 中国科学院半导体研究所: 中国科学院大学, 2019
Authors:  汤敏
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无权访问的条目 学位论文
Authors:  于天
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Dimension Engineering of High-Quality InAs Nanostructures on a Wafer Scale 期刊论文
Nano Letters, 2019, 卷号: 19, 期号: 3, 页码: 1632−1642
Authors:  Dong Pan;   Ji-Yin Wang;   Wei Zhang;   Lujun Zhu;   Xiaojun Su;   Furong Fan;   Yuhao Fu;   Shaoyun Huang;   Dahai Wei;   Lijun Zhang;   Manling Sui;   Arkady Yartsev;   Hongqi Xu;   Jianhua Zhao
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Foreign-catalyst-free GaSb nanowires directly grown on cleaved Si substrates by molecular- beam epitaxy 期刊论文
Nanotechnology, 2019, 卷号: 31, 期号: 15, 页码: 1-10
Authors:  Lianjun Wen;  Dong Pan;  Dunyuan Liao;  Jianhua Zhao
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Crossover from Coulomb blockade to ballistic transport in InAs nanowire devices 期刊论文
Nanotechnology, 2019, 卷号: 30, 页码: 124001
Authors:  L B Wang ;   Dong Pan ;   G Y Huang ;   Jianhua Zhao ;   N Kang ;   H Q Xu
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Effects of growth temperature and metamorphic buffer on electron mobility of InAs film grown on Si substrate by molecular beam epitaxy 期刊论文
Chinese Physics B, 2019, 卷号: 28, 期号: 2, 页码: 028101
Authors:  Jing Zhang ;   Hongliang Lv ;   Haiqiao Ni ;   Shizheng Yang ;   Xiaoran Cui ;   Zhichuan Niu ;   Yimen Zhang ;   Yuming Zhang
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