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| 利用UHV/CVD低温生长SiGe材料的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2009-03-04, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人: 韩根全; 曾玉刚; 余金中
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: Ma SS (Ma Shan-Shan); Wang, BR (Wang Bao-Rui); Sun BQ (Sun Bao-Quan); Wu DH (Wu Dong-Hai); Ni HQ (Ni Hai-Qiao); Niu ZC (Niu Zhi-Chuan); Ma, SS, Chinese Acad Sci, SKLSM, Inst Semicond, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: bqsun@semi.ac.cn
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: Iqbal J; Liu XF; Majid A; Yu DP; Yu RH; Iqbal J Tsinghua Univ Dept Mat Sci & Engn Adv Mat Lab Beijing 100084 Peoples R China. E-mail Address: javedsaggu73@yahoo.com; rhyu@tsinghua.edu.cn
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: Majid A; Sharif R; Zhu JJ; Ali A; Majid A Quaid I Azam Univ Dept Phys Adv Mat Phys Lab Islamabad Pakistan. E-mail Address: abdulmajid40@yahoo.com; akbar@qau.edu.pk
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: Lu J; Meng HJ; Deng JJ; Xu PF; Chen L ; Zhao JH; Jia QJ; Zhao JH Chinese Acad Sci Inst Semicond State Key Lab Superlattices & Microstruct POB 912 Beijing 100083 Peoples R China. E-mail Address: jhzhao@red.semi.ac.cn
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: Li MC; Qiu YX; Liu GJ; Wang YT; Zhang BS; Zhao LC; Li MC Harbin Inst Technol Sch Mat Sci & Engn POB 405 Harbin 150001 Peoples R China. E-mail Address: mcli@hit.edu.cn
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: Xue HY; Xue CL; Cheng BW; Yu YD; Wang QM; Xue HY Chinese Acad Sci Inst Semicond State Key Lab Integrated Optoelect Beijing 100083 Peoples R China. E-mail Address: cbw@semi.ac.cn
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: Meng HJ; Lu J; Chen L; Xu PF; Deng JJ; Zhao JH; Zhao JH Chinese Acad Sci Inst Semicond State Key Lab Superlattices & Microstruct POB 912 Beijing 100083 Peoples R China. E-mail Address: jhzhao@red.semi.ac.cn
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: Liang S (Liang, S.); Zhu HL (Zhu, H. L.); Wang W (Wang, W.); Liang, S, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Key Lab Semicond Mat, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: liangsong@red.semi.ac.cn
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: Majid A; Sharif R; Ali A; Zhu JJ; Majid A Chinese Acad Sci Inst Semicond State Key Lab Integrated Optoelect POB 912 Beijing 100083 Peoples R China. E-mail Address: akbar@qau.edu.pk
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