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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Zhang Rui;  Zhang Fan;  Zhao Youwen;  Dong Zhiyuan;  Yang Jun
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Li, SS;  Xia, JB;  Li, SS, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, State Key Lab Superlattices & Micrpstruct, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: sslee@red.semi.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Li SS (Li Shu-Shen);  Xia JB (Xia Jian-Bai);  Li, SS, AST, World Lab, POB 8730, Beijing 100080, Peoples R China.
Adobe PDF(490Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：826/317  |  提交时间：2010/04/11
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Yang XD;  Xu ZY;  Sun Z;  Sun BQ;  Ding L;  Wang FZ;  Ye ZZ;  Yang, XD, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, State Key Lab Superlattices & Microstruct, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. E-mail: young@red.semi.ac.cn
Adobe PDF(89Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1498/365  |  提交时间：2010/04/11
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Peng WQ;  Qu SC;  Cong GW;  Wang ZG;  Peng, WQ, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Key Lab Semicond Mat Sci, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. E-mail: wqpeng@semi.ac.cn;  qsc@red.semi.ac.cn
Adobe PDF(829Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1364/625  |  提交时间：2010/04/11
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Chen W;  Su FH;  Li GH;  Joly AG;  Malm JO;  Bovin JO;  Chen W,Nomad Inc,1024 S Innovat Way,Stillwater,OK 74074 USA.
Adobe PDF(76Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1093/372  |  提交时间：2010/08/12
Energy band and acceptor binding energy of GaN and AlxGa1-xN 会议论文
MATERIALS SCIENCE AND ENGINEERING B-SOLID STATE MATERIALS FOR ADVANCED TECHNOLOGY, 75 (2-3), BEIJING, PEOPLES R CHINA, JUN 13-18, 1999
作者:  Xia JB;  Cheah KW;  Wang XL;  Sun DZ;  Kong MY;  Xia JB Hong Kong Bapitst Univ Dept Phys Hong Kong Hong Kong Peoples R China.
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Acceptor Binding Energy  Hole Effective-mass Hamiltonian  Wurtzite Gan  
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Xia JB;  Cheah KW;  Wang XL;  Sun DZ;  Kong MY;  Xia JB,Hong Kong Bapitst Univ,Dept Phys,Hong Kong,Hong Kong,Peoples R China.
Adobe PDF(79Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：786/239  |  提交时间：2010/08/12
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Xia JB;  Cheah KW;  Wang XL;  Sun DZ;  Kong MY;  Xia JB,Hong Kong Baptist Univ,Dept Phys,Hong Kong,Peoples R China.
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Electronic and vibrational Raman scattering in resonance with yellow luminescence transitions in GaN on sapphire substrate 会议论文
COMPOUND SEMICONDUCTORS 1997, 156, SAN DIEGO, CALIFORNIA, SEP 08-11, 1997
作者:  Jiang DS;  Ramsteiner M;  Brandt O;  Ploog KH;  Tews H;  Graber A;  Averbeck R;  Riechert H;  Jiang DS Paul Drude Inst Solid State Elect D-10117 Berlin Germany.
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Shallow Donors