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4H-SiC功率MOSFET研制 学位论文
, 中国科学院半导体研究所: 中国科学院大学, 2020
作者:  倪炜江
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4H-SiC场效应晶体管的仿真设计与沟槽型MOSFET的研制 学位论文
, 北京: 中国科学院研究生院, 2017
作者:  申占伟
Adobe PDF(12152Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：942/58  |  提交时间：2017/06/02
4h-sic  场效应晶体管  No退火  Umosfet  欧姆接触  槽角圆弧化  米勒电容