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热退火和飞秒激光对磷、硼杂质激活率的影响 学位论文
, 中国科学院半导体研究所: 中国科学院大学, 2020
作者:  李韶杰
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单层二硒化钼及氮化铝缺陷的光学性质研究 学位论文
, 中国科学院半导体研究所: 中国科学院大学, 2020
作者:  杨倩
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无权访问的条目 学位论文
作者:  薛永洲
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一种基于超快激光掺杂的中间带材料的制备方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2012-09-09, 2012-09-09, 2012-09-09
发明人:  李辛毅;  韩培德;  毛雪;  胡少旭;  王帅;  范玉杰
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一种低偏置电压下具有增益的硅光电探测器及其制备方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2012-09-09, 2012-09-09, 2012-09-09
发明人:  韩培德
Adobe PDF(708Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：838/162  |  提交时间：2012/09/09