SEMI OpenIR

浏览/检索结果: 共9条,第1-9条 帮助

限定条件                
已选(0)清除 条数/页:   排序方式:
三五族化合物半导体材料的分子束外延技术研究 学位论文
, 中国科学院半导体研究所: 中国科学院大学, 2020
作者:  苏大鸿
Adobe PDF(9645Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:661/24  |  提交时间:2020/09/22
SPPs 增强中红外及远红外探测器的研究 学位论文
, 北京: 中国科学院研究生院, 2015
作者:  廖垠鑫
Adobe PDF(2328Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:834/59  |  提交时间:2015/06/02
量子阱红外探测器  表面等离子激元  Fdtd  耦合光栅  共振  
未钝化的中波InAs/GaSb二类超晶格红外光电探测器暗 电流机制的研究 学位论文
, 北京: 中国科学院研究生院, 2014
作者:  李琼
Adobe PDF(1362Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1011/74  |  提交时间:2014/06/05
Inas/gasb二类超晶格  红外探测器  暗电流  中波  
分子束外延生长的 InAs/GaSb 二类超晶格材料的电学性质研究 学位论文
, 北京: 中国科学院研究生院, 2013
作者:  郭晓璐
Adobe PDF(1065Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1144/53  |  提交时间:2013/06/24
无权访问的条目 期刊论文
作者:  黄建亮;  卫炀;  马文全;  杨涛;  陈良惠
Adobe PDF(722Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:2406/225  |  提交时间:2011/08/16
甚长波InAs/GaSb二类超晶格红外探测器材料的制备方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2012-07-04
发明人:  卫炀;  马文全;  张艳华;  曹玉莲
Adobe PDF(715Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:2123/82  |  提交时间:2014/10/31
一种在GaAs衬底上外延生长InAs/GaSb二类超晶格的方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2013-08-07
发明人:  郭晓璐;  马文全;  张艳华
Adobe PDF(390Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1199/112  |  提交时间:2014/11/24
InAs/GaSb二类超晶格红外探测器 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2012-07-11
发明人:  黄建亮;  马文全;  张艳华;  曹玉莲
Adobe PDF(479Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1286/104  |  提交时间:2014/10/31
钝化InAs/GaSb二类超晶格红外探测器制作方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2012-07-11
发明人:  曹玉莲;  马文全;  张艳华
Adobe PDF(607Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1313/77  |  提交时间:2014/10/31