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| 三五族化合物半导体材料的分子束外延技术研究 学位论文 , 中国科学院半导体研究所: 中国科学院大学, 2020 作者: 苏大鸿 Adobe PDF(9645Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:661/24  |  提交时间:2020/09/22 |
| SPPs 增强中红外及远红外探测器的研究 学位论文 , 北京: 中国科学院研究生院, 2015 作者: 廖垠鑫 Adobe PDF(2328Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:834/59  |  提交时间:2015/06/02 量子阱红外探测器 表面等离子激元 Fdtd 耦合光栅 共振 |
| 未钝化的中波InAs/GaSb二类超晶格红外光电探测器暗 电流机制的研究 学位论文 , 北京: 中国科学院研究生院, 2014 作者: 李琼 Adobe PDF(1362Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1011/74  |  提交时间:2014/06/05 Inas/gasb二类超晶格 红外探测器 暗电流 中波 |
| 分子束外延生长的 InAs/GaSb 二类超晶格材料的电学性质研究 学位论文 , 北京: 中国科学院研究生院, 2013 作者: 郭晓璐 Adobe PDF(1065Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1144/53  |  提交时间:2013/06/24 |
| 无权访问的条目 期刊论文 作者: 黄建亮; 卫炀; 马文全; 杨涛; 陈良惠 Adobe PDF(722Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:2406/225  |  提交时间:2011/08/16 |
| 甚长波InAs/GaSb二类超晶格红外探测器材料的制备方法 专利 专利类型: 发明, 公开日期: 2012-07-04 发明人: 卫炀; 马文全; 张艳华; 曹玉莲 Adobe PDF(715Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:2123/82  |  提交时间:2014/10/31 |
| 一种在GaAs衬底上外延生长InAs/GaSb二类超晶格的方法 专利 专利类型: 发明, 公开日期: 2013-08-07 发明人: 郭晓璐; 马文全; 张艳华 Adobe PDF(390Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1199/112  |  提交时间:2014/11/24 |
| InAs/GaSb二类超晶格红外探测器 专利 专利类型: 发明, 公开日期: 2012-07-11 发明人: 黄建亮; 马文全; 张艳华; 曹玉莲 Adobe PDF(479Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1286/104  |  提交时间:2014/10/31 |
| 钝化InAs/GaSb二类超晶格红外探测器制作方法 专利 专利类型: 发明, 公开日期: 2012-07-11 发明人: 曹玉莲; 马文全; 张艳华 Adobe PDF(607Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1313/77  |  提交时间:2014/10/31 |