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基于激子效应的多量子阱光调制器/探测器列阵 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2004-08-04, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  陈弘达;  吴荣汉;  杜云;  毛陆虹;  唐君;  裴为华;  梁琨
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1.3 m GaInNAs 量子阱激光器器件物理基础研究 学位论文
, 北京: 中国科学院半导体研究所, 2004
作者:  张玮
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(GaAsSb-InGaAs)/GaAs 双层复合量子阱的分子束外延生长与器件应用 学位论文
, 北京: 中国科学院半导体研究所, 2004
作者:  徐晓华
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  边历锋;  江德生;  陆书龙
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  夏建白
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  方高瞻;  马骁宇;  王国宏;  谭满清;  蓝永生
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  赵雷;  左玉华;  王启明
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  王启明
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  叶晓军;  朱晓鹏;  徐云;  孙永伟;  侯识华;  种明;  陈良惠
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  刘文楷;  林世鸣;  安艳伟;  张存善
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