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中国科学院半导体研究所机构知识库
Knowledge Management System Of Institute of Semiconductors,CAS
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文献类型:会议论文
专题:中国科学院半导体研究所(2009年前)
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Wavelength tunable distributed Bragg reflector laser integrated with electro-absorption modulator by a combined method of selective area growth and quantum well intermixing - art. no. 68240N
会议论文
SEMICONDUCTOR LASERS AND APPLICATIONS III, Beijing, PEOPLES R CHINA, NOV 12-13, 2007
作者:
Zhao LJ
;
Zhang J
;
Wang L
;
Cheng YB
;
Pan JQ
;
Liu HB
;
Zhu HL
;
Zhou F
;
Bian J
;
Wang BJ
;
Zhu NH
;
Wei W
;
Zhao, LJ, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, State Key Lab Integrated Optoelect, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China.
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提交时间:2010/03/09
Tunable Lasers
Advances in high power semiconductor diode lasers - art. no. 682402
会议论文
SEMICONDUCTOR LASERS AND APPLICATIONS III, Beijing, PEOPLES R CHINA, NOV 12-13, 2007
作者:
Ma, XY
;
Zhong, L
;
Ma, XY, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Natl Engn Res Ctr Optoelect Devices, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China.
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提交时间:2010/03/09
Laser Diodes
Laser Bar
Stacks
High Power
Power Conversion Efficiency
Reliability
Packaging
High Q-factor TM modes in three-dimensional semiconductor microresonators
会议论文
2007 PACIFIC RIM CONFERENCE ON LASERS AND ELECTRO-OPTICS, Seoul, SOUTH KOREA, AUG 26, 2007-AUG 31, 2008
作者:
Yang, YD
;
Huang, YZ
;
Yang, YD, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, State Key Lab Integrated Optoelect, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China.
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提交时间:2010/03/09
Monte Carlo simulation of the modulated effect induced by the dislocation to the quantum dot growth
会议论文
MATERIALS SCIENCE IN SEMICONDUCTOR PROCESSING, Beijing, PEOPLES R CHINA, SEP 13-19, 2005
作者:
Zhao C
;
Chen YH
;
Zhao M
;
Zhang CL
;
Xu B
;
Yu LK
;
Sun J
;
Lei W
;
Wang ZG
;
Zhao, C, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Key Lab Semicond Mat Sci, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: czhao@semi.ac.cn
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提交时间:2010/03/29
Monte Carlo Simulation
Raman scattering study on vibrational modes in Ga1-xMnxN prepared by Mn-ion implantation
会议论文
MATERIALS SCIENCE IN SEMICONDUCTOR PROCESSING, Beijing, PEOPLES R CHINA, SEP 13-19, 2005
作者:
Islam MR
;
Chen NF
;
Yamada M
;
Islam, MR, Khulna Univ Engn & Technol, Dept Elect & Elect Engn, Khulna 920300, Bangladesh. 电子邮箱地址: islambit@yahoo.com
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提交时间:2010/03/29
Raman Scattering
Investigations on oxide-free InGaAlAs waveguides grown by narrow stripe selective MOVPE
会议论文
2006 International Conference on Indium Phosphide and Related Materials Conference Proceedings, Princeton, NJ, MAY 07-11, 2006
作者:
Feng, W (Feng, W.)
;
Pan, JQ (Pan, J. Q.)
;
Zhou, F (Zhou, F.)
;
Zhao, LJ (Zhao, L. J.)
;
Zhu, HL (Zhu, H. L.)
;
Wang, W (Wang, W.)
;
Feng, W, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China.
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提交时间:2010/03/29
Buried-heterostructure Lasers
Bandgap Energy Control
Vapor-phase Epitaxy
Pressure Movpe
Converter
Preparation and AFM characterization of self-ordered porous alumina films on semi-insulated gaas substrate
会议论文
MATERIALS SCIENCE IN SEMICONDUCTOR PROCESSING, Beijing, PEOPLES R CHINA, SEP 13-19, 2005
作者:
Zhou HY
;
Qu SC
;
Wang ZG
;
Liang LY
;
Cheng BC
;
Liu JP
;
Peng WQ
;
Zhou, HY, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Key Lab Semicond Mat Sci, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: zhouhy@mail.semi.ac.cn
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提交时间:2010/03/29
Anodic Alumina Films
Development of current-based microscopic defect analysis method using optical filling techniques for the defect study on heavily irradiated high-resistivity Si sensors/detectors
会议论文
MATERIALS SCIENCE IN SEMICONDUCTOR PROCESSING, Beijing, PEOPLES R CHINA, SEP 13-19, 2005
作者:
Li, Z (Li, Z.)
;
Li, CJ (Li, C. J.)
;
Li, Z, Brookhaven Natl Lab, Upton, NY 11973 USA. 电子邮箱地址: zhengl@bnl.gov
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提交时间:2010/03/29
Dlts
Structure and visible luminescence of ZnO nanoparticles
会议论文
MATERIALS SCIENCE IN SEMICONDUCTOR PROCESSING, Beijing, PEOPLES R CHINA, SEP 13-19, 2005
作者:
Peng, WQ (Peng, W. Q.)
;
Qu, SC (Qu, S. C.)
;
Cong, GW (Cong, G. W.)
;
Wang, ZG (Wang, Z. G.)
;
Peng, WQ, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Key Lab Semicond Mat Sci, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: wqpeng@semi.ac.cn
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提交时间:2010/03/29
Nanoparticles
Electron irradiation-induced defects in InP pre-annealed at high temperature
会议论文
MATERIALS SCIENCE IN SEMICONDUCTOR PROCESSING, Beijing, PEOPLES R CHINA, SEP 13-19, 2005
作者:
Zhao, YW (Zhao, Y. W.)
;
Dong, ZY (Dong, Z. Y.)
;
Deng, AH (Deng, A. H.)
;
Zhao, YW, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: zhaoyw@red.semi.ac.cn
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提交时间:2010/03/29
Indium Phosphide