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| 控制自组织铟镓砷量子点成核的生长方法 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2009-09-23, 公开日期: 4007 发明人: 梁凌燕; 叶小玲; 金 鹏; 陈涌海; 徐 波; 王占国 Adobe PDF(673Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1461/245  |  提交时间:2010/03/19 |
| 砷化镓衬底上制备纳米尺寸坑的方法 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2007-01-24, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 李凯; 叶小玲; 王占国 Adobe PDF(392Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1229/161  |  提交时间:2009/06/11 |
| 利用砷化铟-铟铝砷叠层点制备砷化铟纳米环的生长方法 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2006-09-13, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 李凯; 叶小玲; 王占国 Adobe PDF(339Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1112/170  |  提交时间:2009/06/11 |
| 一种测量光子晶体孔洞侧壁垂直度的方法 专利 专利类型: 发明, 专利号: CN200910081986.9, 公开日期: 2011-08-31 发明人: 彭银生; 徐波; 叶小玲; 王占国 Adobe PDF(532Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1425/195  |  提交时间:2011/08/31 |
| 用于半导体光放大器的宽增益谱量子点材料结构 专利 专利类型: 发明, 专利号: CN200910081987.3, 公开日期: 2011-08-31 发明人: 刘王来; 叶小玲; 徐波; 王占国 Adobe PDF(440Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1381/206  |  提交时间:2011/08/31 |