用于半导体光放大器的宽增益谱量子点材料结构
刘王来; 叶小玲; 徐波; 王占国
专利权人中国科学院半导体研究所
公开日期2011-08-31
授权国家中国
专利类型发明
摘要本发明公开了一种用于半导体光放大器的宽增益谱量子点材料结构,包括:一N型砷化镓衬底;一N型砷化镓缓冲层,生长在N型砷化镓衬底上,用于隔离衬底上的缺陷;一N型铝镓砷光学下限制层,生长在N型砷化镓缓冲层上,用于光学模式和载流子的限制;一多层不同周期的自组织量子点有源层,生长在N型铝镓砷光学下限制层上;一P型铝镓砷光学上限制层,生长在该量子点有源层上,用于光学模式和载流子的限制;以及一P型砷化镓帽层,生长在该P型铝镓砷光学上限制层上,用于电极接触。该结构利用多层不同尺寸设计的量子点的非均匀展宽特性,获得宽的增益谱。
部门归属中科院半导体材料科学重点实验室
专利号CN200910081987.3
语种中文
专利状态公开
申请号CN200910081987.3
专利代理人周国城
文献类型专利
条目标识符http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/22269
专题中科院半导体材料科学重点实验室
推荐引用方式
GB/T 7714
刘王来,叶小玲,徐波,等. 用于半导体光放大器的宽增益谱量子点材料结构. CN200910081987.3.
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