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(In)GaN/AlGaN/GaN异质结构中的二维电子和空穴气研究 学位论文
, 北京: 中国科学院研究生院, 2017
作者:  闫俊达
Adobe PDF(5390Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：2843/67  |  提交时间：2017/06/05
氮化镓  异质结构  二维空穴气  二维电子气  高电子迁移率晶体管  
4H-SiC场效应晶体管的仿真设计与沟槽型MOSFET的研制 学位论文
, 北京: 中国科学院研究生院, 2017
作者:  申占伟
Adobe PDF(12152Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：943/58  |  提交时间：2017/06/02
4h-sic  场效应晶体管  No退火  Umosfet  欧姆接触  槽角圆弧化  米勒电容  
CdX(X=S, Se, Te)半导体体材料及纳米线应变效应的第一性原理研究 学位论文
, 北京: 中国科学院研究生院, 2017
作者:  相琳琳
Adobe PDF(2279Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1091/20  |  提交时间：2017/06/01
第一性原理计算  电子结构性质  单轴应变  Ii-vi族半导体材料  纳米线  
无权访问的条目 学位论文
作者:  刘磊
Adobe PDF(7711Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：344/20  |  提交时间：2017/06/02