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InP单晶锭退火处理方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2007-03-28, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  赵友文;  段满龙
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Yang, J (Yang Jun);  Zhao, YW (Zhao You-Wen);  Dong, ZY (Dong Zhi-Yuan);  Deng, AH (Deng Ai-Hong);  Miao, SS (Miao Shan-Shan);  Wang, B (Wang Bo);  Zhao, YW, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: zhaoyw@red.semi.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Zhao, YW (Zhao You-Wen);  Miao, SS (Miao Shan-Shan);  Dong, ZY (Dong Zhi-Yuan);  Lue, XH (Lue Xiao-Hong);  Deng, AH (Deng Ai-Hong);  Yang, J (Yang Jun);  Wang, B (Wang Bo);  Zhao, YW, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Beijing 100083, Peoples R China.
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Zhou WZ (Zhou Wen-Zheng);  Lin T (Lin Tie);  Shang LY (Shang Li-Yan);  Huang ZM (Huang Zhi-Ming);  Zhu B (Zhu Bo);  Cui LJ (Cui Li-Jie);  Gao HL (Gao Hong-Ling);  Li DL (Li Dong-Lin);  Guo SL (Guo Shao-Ling);  Gui YS (Gui Yong-Sheng);  Chu JH (Chu Jun-Hao);  Zhou, WZ, Chinese Acad Sci, Shanghai Inst Tech Phys, Natl Lab Infrared Phys, Shanghai 200083, Peoples R China. 电子邮箱地址: jhchu@mail.sitp.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Wang B (Wang Bo);  Zhao YW (Zhao You-Wen);  Dong ZY (Dong Zhi-Yuan);  Deng AH (Deng Ai-Hong);  Miao SS (Miao Shan-Shan);  Yang J (Yang Jun);  Zhao, YW, Sichuan Univ, Coll Phys Sci & Technol, Dept Appl Phys, Chengdu 610065, Peoples R China. 电子邮箱地址: zhaoyw@red.semi.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Zhao YW (Zhao You-Wen);  Dong ZY (Dong Zhi-Yuan);  Zhao, YW, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: zhaoyw@red.semi.ac.cn
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InP、InAs和GaSb单晶材料缺陷和晶体完整性研究 学位论文
, 北京: 中国科学院半导体研究所, 2007
作者:  吕小红
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Ma XT (Ma Xiao-Tao);  Zheng WH (Zheng Wan-Hua);  Ren G (Ren Gang);  Fan ZC (Fan Zhong-Chao);  Chen CH (Chen Chang-Hui);  Zheng, WH, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Nanooptoelect Lab, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: whzheng@red.semi.ac.cn
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有序多孔InP 结构及其内壁外延研究 学位论文
, 北京: 中国科学院半导体研究所, 2007
作者:  车晓玲
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InP 基InAs 纳米结构形貌控制及激光器研究 学位论文
, 北京: 中国科学院半导体研究所, 2007
作者:  杨新荣
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