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GaN和GaSb基稀磁半导体、肖特基结的制备及其性质研究 学位论文
, 北京: 中国科学院研究生院, 2015
作者:  陶东言
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稀磁半导体  Gan  Gasb  表面钝化  肖特基器件  
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Gupta, S;  Zaidi, T;  Melton, A;  Malguth, E;  Yu, HB;  Liu, ZQ;  Liu, XT;  Schwartz, J;  Ferguson, IT;  Ferguson, IT (reprint author), Georgia Inst Technol, Sch Elect & Comp Engn, Atlanta, GA 30332 USA,ianf@uncc.edu
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