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(In)GaN/AlGaN/GaN异质结构中的二维电子和空穴气研究 学位论文
, 北京: 中国科学院研究生院, 2017
作者:  闫俊达
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氮化镓  异质结构  二维空穴气  二维电子气  高电子迁移率晶体管  
含铟GaN基HEMT结构的理论模拟及场板影响研究 学位论文
, 北京: 中国科学院研究生院, 2017
作者:  李巍
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氮化镓  铟铝氮  高电子迁移率晶体管  二维电子气  电流崩塌  
无权访问的条目 学位论文
作者:  刘波亭
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GaN基HEMT器件材料的生长技术研究 学位论文
, 北京: 中国科学院研究生院, 2017
作者:  吉泽生
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图形化硅衬底氮化物外延及半极性发光器件 学位论文
, 北京: 中国科学院研究生院, 2017
作者:  张璐
Adobe PDF(5493Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：706/69  |  提交时间：2017/06/01
Si  Gan  湿法腐蚀  Mocvd  半极性面  多量子阱  正装结构led