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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Jia CH;  Chen YH;  Zhang WF;  Zhang WF Henan Univ Key Lab Photovolta Mat Henan Prov Kaifeng 475004 Peoples R China. E-mail Address: wfzhang@henu.edu.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Luo HH (Luo Haihui);  Qian X (Qian Xuan);  Ruan XZ (Ruan Xuezhong);  Ji Y (Ji Yang);  Umansky V (Umansky Vladimir);  Ji, Y, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, SKLSM, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: jiyang@red.semi.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Zhang B;  Lu YW;  Song HP;  Liu XL;  Yang SY;  Zhu QS;  Wang ZG;  Zhang, B, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Key Lab Semicond Mat Sci, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. E-mail Address: zhangbiao@semi.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Yang ZC;  Huang AP;  Yan L;  Xiao ZS;  Zhang XW;  Chu PK;  Wang WW;  Huang AP Beihang Univ Dept Phys Beijing 100191 Peoples R China. E-mail Address: aphuang@buaa.edu.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Tang CG;  Chen YH;  Xu B;  Ye XL;  Wang ZG;  Chen YH Chinese Acad Sci Inst Semicond Key Lab Semicond Mat Sci POB 912 Beijing 100083 Peoples R China. E-mail Address: yhchen@red.semi.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Luo HH;  Qian X;  Gu XF;  Ji Y;  Umansky V;  Ji Y Chinese Acad Sci Inst Semicond SKLSM Beijing 100083 Peoples R China. E-mail Address: hhluo@semi.ac.cn;  jiyang@red.semi.ac.cn
Adobe PDF(286Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：956/249  |  提交时间：2010/03/08
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Lu QY;  Zhang W;  Wang LJ;  Gao Y;  Yin W;  Zhang QD;  Liu WF;  Liu FQ;  Wang ZG;  Lu, QY, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Key Lab Semicond Mat Sci, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. E-mail Address: fqliu@red.semi.ac.cn
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In-Situ Boron and Aluminum Doping and Their Memory Effects in 4H-SiC Homoepitaxial Layers Grown by Hot-Wall LPCVD 会议论文
SILICON CARBIDE AND RELATED MATERIALS 2007, Otsu, JAPAN, OCT 14-19, 2007
作者:  Sun, GS;  Zhao, YM;  Wang, L;  Zhao, WS;  Liu, XF;  Ji, G;  Zeng, YP;  Sun, GS, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Novel Semicond Mat Lab, Beijing 100083, Peoples R China.
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In-situ Doping  Boron  Aluminum  Memory Effects  Hot-wall Lpcvd  4h-sic  
Heteroepitaxial Growth of 3C-SiC on Si (111) Substrate using AlN as a Buffer Layer 会议论文
SILICON CARBIDE AND RELATED MATERIALS 2007, Otsu, JAPAN, OCT 14-19, 2007
作者:  Zhao, YM;  Sun, GS;  Liu, XF;  Li, JY;  Zhao, WS;  Wang, L;  Li, JM;  Zeng, YP;  Zhao, YM, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Novel Semicond Mat Lab, Beijing 100083, Peoples R China.
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Silicon Carbide  Aluminum Nitride  Buffer Layer  Lpcvd  
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Yang AL;  Song HP;  Liu XL;  Wei HY;  Guo Y;  Zheng GL;  Jiao CM;  Yang SY;  Zhu QS;  Wang ZG;  Yang AL Chinese Acad Sci Inst Semicond Key Lab Semicond Mat Sci POB 912 Beijing 100083 Peoples R China. E-mail Address: alyang@semi.ac.cn;  xlliu@semi.ac.cn
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