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| InP基平面型背入射雪崩光电二极管及其制造方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2009-10-07, 公开日期: 4009
发明人: 吴孟
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| InP衬底上集成增强型和耗尽型HEMT的制作方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2009-08-26, 公开日期: 4005
发明人: 戴扬
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| InGaAsP/InP Bistability Triangle Microlasers 会议论文
, Shanghai, PEOPLES R CHINA, AUG 30-SEP 03, 2009
作者: Huang YZ (Huang Yong-Zhen); Yang YD (Yang Yue-De); Wang SJ (Wang Shi-Jiang); Xiao JL (Xiao Jin-Long); Du Y (Du Yun)
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: Liu JQ; Liu FQ; Li L ; Wang LJ; Wang ZG; Liu JQ Chinese Acad Sci Inst Semicond Key Lab Semicond Mat Sci POB 912 Beijing 100083 Peoples R China. E-mail Address: jqliu@semi.ac.cn
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: Huang YZ; Wang SJ; Yang YD; Xiao JL; Hu YH; Du Y; Huang YZ Chinese Acad Sci Inst Semicond State Key Lab Integrated Optoelect Beijing 100083 Peoples R China. E-mail Address: yzhuang@semi.ac.cn
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| InP/InGaAsP光晶体管探测器和双模激光器的研制 学位论文
, 北京: 中国科学院半导体研究所, 2009
作者: 王列松
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: Yang YD; Huang YZ; Che KJ; Wang SJ; Hu YH; Du Y; Yang YD Chinese Acad Sci Inst Semicond State Key Lab Integrated Optoelect Beijing 100083 Peoples R China. E-mail Address: yyd@semi.ac.cn; yzhuang@red.semi.ac.cn; chekaijun@semi.ac.cn; wangshijiang@semi.ac.cn; huyh@semi.ac.cn; duyun@semi.ac.cn
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: Wang HL; Xing MX; Ren G; Zheng WH; Zheng WH Chinese Acad Sci Inst Semicond Nanooptoelect Lab Beijing 100083 Peoples R China. E-mail Address: whzheng@red.semi.ac.cn
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: Kong DH; Zhu HL; Liang S; Zhang HG; Sun Y; Wang H; Zhang W; Zhao LJ; Kong DH Chinese Acad Sci Inst Semicond Key Lab Semicond Mat Sci POB 912 Beijing 100083 Peoples R China. E-mail Address: kdh@semi.ac.cn; Liangsong@red.semi.ac.cn
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: Yang L; Motohisa J; Fukui T; Jia LX; Zhang L; Geng MM; Chen P; Liu YL; Yang L Chinese Acad Sci Inst Semicond Optoelect Syst Lab Beijing 100083 Peoples R China. E-mail Address: lyang@semi.ac.cn
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