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InP基平面型背入射雪崩光电二极管及其制造方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2009-10-07, 公开日期: 4009
发明人:  吴孟
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InP衬底上集成增强型和耗尽型HEMT的制作方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2009-08-26, 公开日期: 4005
发明人:  戴扬
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InP/InGaAsP光晶体管探测器和双模激光器的研制 学位论文
, 北京: 中国科学院半导体研究所, 2009
作者:  王列松
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InP基1.55μm波长高性能波导探测器研制 学位论文
, 北京: 中国科学院半导体研究所, 2009
作者:  张云
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  徐海华;  余金中
Adobe PDF(505Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1337/532  |  提交时间：2010/11/23
无权访问的条目 期刊论文
作者:  黄永箴;  车凯军;  杨跃德;  王世江;  杜云
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  黄亨沛;  徐桂芝;  张雅丽;  谢亮;  祝宁华
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  陈方雄;  林敏;  石寅
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  郑文礼;  李志文;  王雪峰
Adobe PDF(456Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：679/190  |  提交时间：2010/11/23
无权访问的条目 期刊论文
作者:  林涛;  段玉鹏;  郑凯;  崇峰;  马骁宇
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