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中国科学院半导体研究所机构知识库
Knowledge Management System Of Institute of Semiconductors,CAS
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研究单元&专题
中科院半导体材料科... [18]
作者
杨晓光 [2]
陆丹 [1]
王圩 [1]
文献类型
专利 [10]
期刊论文 [7]
学位论文 [1]
发表日期
2013 [1]
2012 [2]
2011 [1]
2010 [4]
语种
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共18条,第1-10条
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专题:中科院半导体材料科学重点实验室
第一作者的第一单位
第一作者单位
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专题:中国科学院半导体研究所
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85
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无权访问的条目
期刊论文
作者:
Fan S, Qin Z, He C, Hou M, Wang X, Shen B, Li W, Wang W, Mao D, Jin P, Yan J, Dong P.
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浏览/下载:542/106
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提交时间:2014/03/18
量子点中间带和黑硅太阳电池研究
学位论文
, 北京: 中国科学院研究生院, 2012
作者:
王科范
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浏览/下载:1663/62
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提交时间:2012/06/25
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Wei W (Wei, Wei)
;
Qin ZX (Qin, Zhixin)
;
Fan SF (Fan, Shunfei)
;
Li ZW (Li, Zhiwei)
;
Shi K (Shi, Kai)
;
Zhu QS (Zhu, Qinsheng)
;
Zhang GY (Zhang, Guoyi)
Adobe PDF(529Kb)
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浏览/下载:989/284
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提交时间:2013/04/18
无权访问的条目
期刊论文
作者:
王黎
;
孙瑜
;
赵晓凡
;
娄采云
;
陆丹
;
赵玲娟
;
王圩
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浏览/下载:1411/385
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提交时间:2011/08/16
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Ding Y (Ding Y.)
;
Fan WJ (Fan W. J.)
;
Ma BS (Ma B. S.)
;
Xu DW (Xu D. W.)
;
Yoon SF (Yoon S. F.)
;
Liang S (Liang S.)
;
Zhao LJ (Zhao L. J.)
;
Wasiak M (Wasiak M.)
;
Czyszanowski T (Czyszanowski T.)
;
Nakwaski W (Nakwaski W.)
;
Ding, Y, NanyangTechnolUniv, Sch Elect & Elect Engn, Singapore 639798, Singapore. 电子邮箱地址: yding@ntu.edu.sg
Adobe PDF(414Kb)
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浏览/下载:1163/429
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提交时间:2010/11/14
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Sun Y (Sun Yu)
;
Pan JAQ (Pan Jiao Qing)
;
Zhao LJA (Zhao Ling Juan)
;
Chen WX (Chen Weixi)
;
Wang W (Wang Wei)
;
Wang L (Wang Li)
;
Zhao XAF (Zhao Xiao Fan)
;
Lou CY (Lou Cai Yun)
;
Sun, Y, Chinese AcadSci, InstSemicond, Key Lab Semicond Mat Sci, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: sunyu2006@semi.ac.cn
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浏览/下载:1193/529
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提交时间:2010/11/14
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Liu JM (Liu J. M.)
;
Liu XL (Liu X. L.)
;
Xu XQ (Xu X. Q.)
;
Wang J (Wang J.)
;
Li CM (Li C. M.)
;
Wei HY (Wei H. Y.)
;
Yang SY (Yang S. Y.)
;
Zhu QS (Zhu Q. S.)
;
Fan YM (Fan Y. M.)
;
Zhang XW (Zhang X. W.)
;
Wang ZG (Wang Z. G.)
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浏览/下载:1313/348
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提交时间:2010/08/17
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Ying J (Ying J.)
;
Zhang XW (Zhang X. W.)
;
Fan YM (Fan Y. M.)
;
Tan HR (Tan H. R.)
;
Yin ZG (Yin Z. G.)
;
Zhang, XW, CAS, Inst Semicond, Key Lab Semicond Mat Sci, Beijing 100083, Peoples R China. xwzhang@semi.ac.cn
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浏览/下载:1344/332
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提交时间:2010/12/28
硅掺杂的砷化铟/砷化镓量子点太阳电池的制作方法
专利
专利类型: 发明, 专利号: CN102130206A, 公开日期: 2012-09-09, 2012-09-09, 2012-09-09
发明人:
王科范
;
杨晓光
;
杨涛
;
王占国
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浏览/下载:1504/248
  |  
提交时间:2012/09/09
基于n-InP的单片集成的光逻辑门及其制作方法
专利
专利类型: 发明, 专利号: CN200910093299.9, 公开日期: 2011-08-31
发明人:
张云霄
;
廖栽宜
;
周帆
;
赵玲娟
;
王圩
Adobe PDF(927Kb)
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浏览/下载:1475/190
  |  
提交时间:2011/08/31