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h-BN的MOCVD外延及在深紫外LED中的应用研究 学位论文
, 中国科学院半导体研究所: 中国科学院大学, 2023
作者:  张琪
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  L. Zhang;   Y. N. Guo;   J. C. Yan;   Q. Q. Wu;   X. C. Wei;   J. X. Wang;   J. M. Li
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  X. L. HU;  L. B. SUN;  BEIBEI ZENG;  L. S. WANG;  Z. G. YU;  S. A. BAI;  S. M. YANG;  L. X. ZHAO;  Q. LI;  M. QIU;  R. Z. TAI;  H. J. FECHT;  J. Z. JIANG;  D. X. ZHANG
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生长半极性GaN厚膜的方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2014-03-19
发明人:  羊建坤;  魏同波;  霍自强;  张勇辉;  胡强;  段瑞飞;  王军喜
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