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| 生长半绝缘砷化镓的石英管及在砷化镓中掺碳的方法 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2010-08-12, 公开日期: 2009-12-16, 2010-08-12 发明人: 占 荣; 惠 峰; 赵有文 Adobe PDF(347Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:2038/292  |  提交时间:2010/08/12 |
| 氧化锌体单晶生长过程中的直接掺杂方法 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2009-05-27, 公开日期: 3996 发明人: 董志远; 赵有文; 杨 俊; 段满龙 Adobe PDF(361Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1712/242  |  提交时间:2010/03/19 |
| 闭管化学气相传输法生长ZnO单晶方法 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2007-06-13, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 赵有文; 董志远; 段满龙; 魏学成 Adobe PDF(343Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1276/154  |  提交时间:2009/06/11 |
| InP单晶锭退火处理方法 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2007-03-28, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 赵友文; 段满龙 Adobe PDF(289Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1225/131  |  提交时间:2009/06/11 |
| 高温退火非掺杂磷化铟制备半绝缘衬底的方法 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2004-05-26, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 赵有文 Adobe PDF(340Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:867/103  |  提交时间:2009/06/11 |
| 晶片热处理用的样品架 专利 专利类型: 实用新型, 申请日期: 2003-12-17, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 赵有文 Adobe PDF(249Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1050/133  |  提交时间:2009/06/11 |
| 磷化铟单晶片的抛光工艺 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2003-03-12, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 董宏伟; 赵有文; 杨子祥; 焦景华 Adobe PDF(283Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1577/226  |  提交时间:2009/06/11 |
| 多晶硅碱性制绒方法 专利 专利类型: 发明, 专利号: CN102437044A, 公开日期: 2012-08-29, 2012-08-29, 2012-08-29 发明人: 陈腾; 赵有文 Adobe PDF(579Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:2264/493  |  提交时间:2012/08/29 |
| 降低衬底表面残留杂质浓度的方法 专利 专利类型: 发明, 公开日期: 2013-04-03, 2013-04-03 发明人: 刘京明; 赵有文; 王凤华; 杨凤云 Adobe PDF(553Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:803/105  |  提交时间:2014/10/24 |
| ZnO体单晶的Sb离子注入掺杂及退火激活方法 专利 专利类型: 发明, 公开日期: 2012-09-26 发明人: 谢辉; 赵有文 Adobe PDF(376Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:764/87  |  提交时间:2014/10/31 |