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中国科学院半导体研究所机构知识库
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专题:集成光电子学国家重点实验室
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期刊论文
作者:
Zhanhong Ma
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Abdulaziz Almalki
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Xin Yang
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Xing Wu
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Xin Xi
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Shan Lin
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Xiaodong Li
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Saud Alotaibi
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Maryam Al huwayz
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Mohamed Henini
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Lixia Zhao
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提交时间:2021/05/21
InGaN量子阱及薄膜材料特性研究
学位论文
, 北京: 中国科学院研究生院, 2018
作者:
刘炜
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提交时间:2018/06/20
Ingan
量子阱
薄膜
极化效应
局域态
本底载流子浓度
绿光InGaN/GaN多量子阱发光特性研究
学位论文
, 北京: 中国科学院研究生院, 2016
作者:
刘炜
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提交时间:2016/06/01
基于TDLAS 的DFB 激光器稳频技术研究
学位论文
, 北京: 中国科学院研究生院, 2012
作者:
王瑞
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提交时间:2012/06/27
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Liu, JQ
;
Huang, J
;
Gong, XJ
;
Wang, JF
;
Xu, K
;
Qiu, YX
;
Cai, DM
;
Zhou, TF
;
Ren, GQ
;
Yang, H
;
Xu, K (reprint author), Chinese Acad Sci, Suzhou Inst Nanotech & Nanobion, Suzhou 215123, Peoples R China,kxu2006@sinano.ac.cn
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提交时间:2012/02/06
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Liu JQ
;
Wang JF
;
Gong XJ
;
Huang J
;
Xu K
;
Zhou TF
;
Zhong HJ
;
Qiu YX
;
Cai DM
;
Ren GQ
;
Yang H
;
Xu, K, Chinese Acad Sci, Suzhou Inst Nanotech & Nanobion, Suzhou 215123, Peoples R China. kxu2006@sinano.ac.cn
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提交时间:2011/07/05
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Wang H (Wang H.)
;
Jiang DS (Jiang D. S.)
;
Jahn U (Jahn U.)
;
Zhu JJ (Zhu J. J.)
;
Zhao DG (Zhao D. G.)
;
Liu ZS (Liu Z. S.)
;
Zhang SM (Zhang S. M.)
;
Yang H (Yang H.)
;
Wang, H, Chinese Acad Sci, State Key Lab Integrated Optoelect, Inst Semicond, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: wangh@semi.ac.cn
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提交时间:2010/08/17
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Wang H (Wang H.)
;
Jiang DS (Jiang D. S.)
;
Jahn U (Jahn U.)
;
Zhu JJ (Zhu J. J.)
;
Zhao DG (Zhao D. G.)
;
Liu ZS (Liu Z. S.)
;
Zhang SM (Zhang S. M.)
;
Qiu YX (Qiu Y. X.)
;
Yang H (Yang H.)
;
Wang, H, Chinese Acad Sci, State Key Lab Integrated Optoelect, Inst Semicond, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: wangh@semi.ac.cn
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提交时间:2010/12/12