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中国科学院半导体研究所机构知识库
Knowledge Management System Of Institute of Semiconductors,CAS
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专题:中国科学院半导体研究所(2009年前)
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基于RTD与EHEMT的超高速全并行模数转换器
专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2010-08-12, 公开日期: 2010-02-10, 2010-08-12
发明人:
戴 扬
;
杜 睿
;
杨富华
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提交时间:2010/08/12
共振隧穿二极管D触发器
专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2009-06-10, 公开日期: 3997
发明人:
杜 睿
;
杨富华
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提交时间:2010/03/19
表面等离子体共振与表面波传感研究
学位论文
, 北京: 中国科学院半导体研究所, 2009
作者:
於丰
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提交时间:2009/04/13
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Huang QZ
;
Yu YD
;
Yu JZ
;
Huang QZ Chinese Acad Sci Inst Semicond State Key Lab Integrated Optoelect POB 912 Beijing 100083 Peoples R China. E-mail Address: huangqz@red.semi.ac.cn
;
jzyu@red.semi.ac.cn
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提交时间:2010/03/08
基于共振隧穿二极管与高电子迁移率晶体管的高速集成电路工艺与设计
学位论文
, 北京: 中国科学院半导体研究所, 2009
作者:
戴扬
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提交时间:2009/04/13
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期刊论文
作者:
沈海波
;
郭亨群
;
王国立
;
王加贤
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吴志军
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宋江婷
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徐骏
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陈坤基
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王启明
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提交时间:2010/11/23
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期刊论文
作者:
曾凡平
;
韩培德
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高利朋
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冉启江
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毛雪
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赵春华
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米艳红
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提交时间:2010/11/23
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期刊论文
作者:
郭剑川
;
左玉华
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张岭梓
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张云
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丁武昌
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成步文
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余金中
;
王启明
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提交时间:2010/11/23
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期刊论文
作者:
朱彬
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韩勤
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杨晓红
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提交时间:2010/11/23
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期刊论文
作者:
黄祖炎
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韦欣
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王青
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宋国峰
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提交时间:2010/11/23