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中国科学院半导体研究所机构知识库
Knowledge Management System Of Institute of Semiconductors,CAS
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中国科学院半导体研... [10]
作者
江德生 [1]
黎大兵 [1]
赵德刚 [1]
文献类型
会议论文 [10]
发表日期
2003 [10]
语种
英语 [10]
出处
PHYSICA E-... [3]
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收录类别:CPCI\-S
发表日期:2003
专题:中国科学院半导体研究所(2009年前)
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期刊影响因子降序
Growth and photoluminescence of InAlGaN films
会议论文
5TH INTERNATIONAL CONFERENCE ON NITRIDE SEMICONDUCTORS (ICNS-5), PROCEEDINGS, NARA, JAPAN, MAY 25-30, 2003
作者:
Li DB
;
Dong X
;
Huang JS
;
Liu XL
;
Xu ZY
;
Wang ZG
;
Li DB Chinese Acad Sci Inst Semicond Key Lab Semicond Mat Sci POB 912 Beijing 100083 Peoples R China.
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提交时间:2010/10/29
Multiple-quantum Wells
Quaternary Alloys
Optical-properties
Reduction in crystallographic tilt of lateral epitaxial overgrown GaN by using new patterned shape mask
会议论文
5TH INTERNATIONAL CONFERENCE ON NITRIDE SEMICONDUCTORS (ICNS-5), PROCEEDINGS, NARA, JAPAN, MAY 25-30, 2003
作者:
Feng G
;
Shen XM
;
Zhu JJ
;
Zhang BS
;
Yang H
;
Liang JW
;
Feng G Chinese Acad Sci Inst Semicond State Key Lab Integrated Optoelect POB 912 Beijing 100083 Peoples R China.
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浏览/下载:1409/308
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提交时间:2010/10/29
Buffer Layer
Substrate
Diodes
Growth
2 x 2 electrooptical switch in silicon-on-insulator waveguide
会议论文
2003 IEEE CONFERENCE ON ELECTRON DEVICES AND SOLID-STATE CIRCUITS, Kowloon, PEOPLES R CHINA, DEC 16-18, 2003
作者:
Yan QF
;
Yu JZ
;
Chen SW
;
Fan ZC
;
Xia JS
;
Liu ZL
;
Yan QF Chinese Acad Sci Inst Semicond State Key Lab Integrated Optoelect Beijing 100083 Peoples R China.
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提交时间:2010/10/29
Devices
Low-frequency noise properties of GaN Schottky barriers deposited on intermediate temperature buffer layers
会议论文
MATERIALS SCIENCE IN SEMICONDUCTOR PROCESSING, 6 (5-6), Sendai, JAPAN, MAR 20-22, 2003
作者:
Leung BH
;
Fong WK
;
Surya C
;
Lu LW
;
Ge WK
;
Surya C Hong Kong Polytech Univ Photon Res Ctr Dept Elect & Informat Engn Hong Kong Hong Kong Peoples R China. 电子邮箱地址: ensurya@polyu.edu.hk
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浏览/下载:1473/281
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提交时间:2010/10/29
Gan
Low-frequency Noise
Deep Levels
Deep Level Transient Fourier Spectroscopy
Devices
Design of high brightness cubic-GaN LEDs grown on GaAs substrate
会议论文
JOURNAL OF THE KOREAN PHYSICAL SOCIETY, 42, SEOUL, SOUTH KOREA, AUG 20-23, 2002
作者:
Sun YP
;
Shen XM
;
Zhang ZH
;
Zhao DG
;
Feng ZH
;
Fu Y
;
Zhang SN
;
Yang H
;
Sun YP Chinese Acad Sci State Key Lab Integrated Optoelect Inst Semicond Beijing 100083 Peoples R China.
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提交时间:2010/11/15
Wafer Bunding
Cubic Gan
Light-emitting-diodes
Field-effect Transistor
Single-crystal Gan
Microwave Performance
Mirror
Junction
Nano-layer structure of silicon-on-insulator materials
会议论文
JOURNAL OF THE KOREAN PHYSICAL SOCIETY, 42, SEOUL, SOUTH KOREA, AUG 20-23, 2002
作者:
Wang X
;
Chen M
;
Chen J
;
Dong YN
;
Liu XH
;
He P
;
Tian LL
;
Liu ZL
;
Chen J Chinese Acad Sci Shanghai Inst Microsyst & Informat Technol Ion Beam Lab 865 Changning Rd Shanghai 200050 Peoples R China.
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提交时间:2010/11/15
Soi
Nanostructure
Microelectronic Materials
Controllable growth of semiconductor nanometer structures
会议论文
MICROELECTRONICS JOURNAL, 34 (5-8), FORTALEZA, BRAZIL, DEC 08-13, 2002
作者:
Wang ZG
;
Wu J
;
Wang ZG Chinese Acad Sci Inst Semicond Key Lab Semicond Mat Sci POB 912 Beijing 100083 Peoples R China.
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提交时间:2010/11/15
Inas Quantum Dots
Self-organization
Monolayer Coverage
Density
Gaas
Islands
Inp(001)
Epitaxy
Surface morphology and optical property of 1.3 mu m In0.5Ga0.5As/GaAs self-organized quantum dots grown by MBE
会议论文
PHYSICA E-LOW-DIMENSIONAL SYSTEMS & NANOSTRUCTURES, 17 (1-4), TOULOUSE, FRANCE, JUL 22-26, 2002
作者:
Lan Q
;
Niu ZC
;
Zhou DY
;
Kong YC
;
Wang XD
;
Miao ZH
;
Feng SL
;
Niu ZC Chinese Acad Sci Natl Lab Superlattices Inst Semicond Beijing 100083 Peoples R China.
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浏览/下载:1244/218
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提交时间:2010/11/15
Transport properties through quantum dot in a vertical electric field
会议论文
PHYSICA E-LOW-DIMENSIONAL SYSTEMS & NANOSTRUCTURES, 17 (1-4), TOULOUSE, FRANCE, JUL 22-26, 2002
作者:
Li SS
;
Xia JB
;
Li SS Chinese Acad Sci Inst Semicond State Key Lab Superlattices & Microstruct POB 912 Beijing 100083 Peoples R China.
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提交时间:2010/11/15
Hole Transport
Lasing of CdSSe quantum dots in glass spherical microcavity
会议论文
PHYSICA E-LOW-DIMENSIONAL SYSTEMS & NANOSTRUCTURES, 17 (1-4), TOULOUSE, FRANCE, JUL 22-26, 2002
作者:
Lu SL
;
Jia R
;
Jiang DS
;
Li SS
;
Jiang DS Chinese Acad Sci Inst Semicond Natl Lab Superlattices & Microstruct POB 912 Beijing 100083 Peoples R China.
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提交时间:2010/11/15