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| 一种利用图形化衬底提高GaN基LED发光效率的方法 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2009-01-14, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 闫发旺; 高永海; 张扬; 李晋闽; 曾一平; 王国宏; 张会肖 Adobe PDF(526Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1687/272  |  提交时间:2009/06/11 |
| 无权访问的条目 期刊论文 作者: Zhang Z; Zhang R; Xie ZL; Liu B; Xiu XQ; Li Y; Fu DY; Lu H; Chen P; Han P; Zheng YD; Tang CG; Chen YH; Wang ZG; Wang H; Jiang DS; Zhu JJ; Zhao DG; Liu ZS; Wang YT; Zhang SM; Yang H; Zhang Z Nanjing Univ Jiangsu Prov Key Lab Adv Photon & Elect Mat Nanjing 210093 Peoples R China. E-mail Address: rzhang@nju.edu.cn Adobe PDF(197Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1499/430  |  提交时间:2010/03/08 |
| 量子点-阱红外探测器的结构及其制备方法 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2008-09-24, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 王志成; 徐波; 刘峰奇; 陈涌海; 王占国; 石礼伟; 梁凌燕 Adobe PDF(568Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1729/222  |  提交时间:2009/06/11 |
| 一种具有薄氮化铪可协变层的硅基可协变衬底材料 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2008-07-02, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 杨少延; 范海波; 李成明; 陈涌海; 王占国 Adobe PDF(1055Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1338/178  |  提交时间:2009/06/11 |
| 一种用于氧化锌外延薄膜生长的硅基可协变衬底材料 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2008-07-02, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 杨少延; 范海波; 李成明; 陈涌海; 王占国 Adobe PDF(843Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1282/186  |  提交时间:2009/06/11 |
| 无权访问的条目 期刊论文 作者: 黄燕华; 陈松岩; 李成; 蔡加法; 余金中 Adobe PDF(462Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1382/316  |  提交时间:2010/11/23 |
| 具有氮化铪薄中间层的SOI型复合可协变层衬底 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2007-08-15, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 杨少延; 陈涌海; 李成明; 范海波; 王占国 Adobe PDF(924Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1320/171  |  提交时间:2009/06/11 |
| 具有金属铪薄中间层的SOI型复合可协变层衬底 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2007-08-15, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 杨少延; 陈涌海; 李成明; 范海波; 王占国 Adobe PDF(931Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1375/176  |  提交时间:2009/06/11 |
| 具有超薄碳化硅中间层的硅基可协变衬底及制备方法 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2007-08-15, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 杨少延; 杨霏; 李成明; 范海波; 陈涌海; 刘志凯; 王占国 Adobe PDF(1107Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1403/193  |  提交时间:2009/06/11 |
| 利用可协变衬底制备生长氧化锌薄膜材料的方法 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2007-08-15, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 杨少延; 陈涌海; 李成明; 范海波; 王占国 Adobe PDF(1043Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1178/158  |  提交时间:2009/06/11 |