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| 基于高温退火AlN模板的深紫外激光二极管MOVPE生长研究 学位论文 , 中国科学院半导体研究所: 中国科学院大学, 2023 作者: 王大地 Adobe PDF(36422Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:4/0  |  提交时间:2024/05/23 |
| Fabrication and characterization of normally-off AlGaNGaN HEMTs 学位论文 , 中国科学院半导体研究所: 中国科学院大学, 2021 作者: Aqdas Fariza Adobe PDF(2143Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:458/1  |  提交时间:2021/12/16 |
| 无权访问的条目 期刊论文 作者: Sun, Jianwen; Zhan, Teng; Sokolovskij, Robert; Liu, Zewen; Sarro, Pasqualina M.; Zhang, Guoqi Adobe PDF(2599Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:0/0  |  提交时间:2022/05/19 |
| 无权访问的条目 学位论文 作者: 陆义 Adobe PDF(5593Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:9/0  |  提交时间:2019/11/12 |
| 无权访问的条目 学位论文 作者: 赵璐 Adobe PDF(3839Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:162/12  |  提交时间:2018/05/24 |
| 无权访问的条目 学位论文 作者: 朱石超 Adobe PDF(7941Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:358/25  |  提交时间:2017/06/05 |
| 无权访问的条目 学位论文 作者: 黄宇亮 Adobe PDF(3699Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:600/121  |  提交时间:2016/06/06 |
| AlGaN/GaN MOS-HFET功率开关器件制备技术研究 学位论文 , 北京: 中国科学院大学, 2016 作者: 赵勇兵 Adobe PDF(3734Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:882/78  |  提交时间:2016/06/01 Algan/gan Hfet 特征导通电阻 击穿电压 增强型器件 阈值电压 |
| 无权访问的条目 学位论文 作者: 田迎冬 Adobe PDF(19612Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:642/41  |  提交时间:2016/06/01 |
| 新型电注入方式LED芯片技术的研究 学位论文 , 北京: 中国科学院研究生院, 2016 作者: 王钦金 Adobe PDF(7756Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:639/50  |  提交时间:2016/05/30 |