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基于高温退火AlN模板的深紫外激光二极管MOVPE生长研究 学位论文
, 中国科学院半导体研究所: 中国科学院大学, 2023
作者:  王大地
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Fabrication and characterization of normally-off AlGaNGaN HEMTs 学位论文
, 中国科学院半导体研究所: 中国科学院大学, 2021
作者:  Aqdas Fariza
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Sun, Jianwen;   Zhan, Teng;   Sokolovskij, Robert;   Liu, Zewen;   Sarro, Pasqualina M.;   Zhang, Guoqi
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无权访问的条目 学位论文
作者:  陆义
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无权访问的条目 学位论文
作者:  赵璐
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无权访问的条目 学位论文
作者:  朱石超
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无权访问的条目 学位论文
作者:  黄宇亮
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AlGaN/GaN MOS-HFET功率开关器件制备技术研究 学位论文
, 北京: 中国科学院大学, 2016
作者:  赵勇兵
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Algan/gan Hfet  特征导通电阻  击穿电压  增强型器件  阈值电压  
无权访问的条目 学位论文
作者:  田迎冬
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新型电注入方式LED芯片技术的研究 学位论文
, 北京: 中国科学院研究生院, 2016
作者:  王钦金
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