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Photoluminescence study on coarsening of self-assembled InAlAs quantum dots on GaAs (001) 会议论文
JOURNAL OF ELECTRONIC MATERIALS, 28 (5), CHARLOTTESVILLE, VIRGINIA, JUN 24-26, 1998
作者:  Zhou W;  Xu B;  Xu HZ;  Liu FQ;  Liang JB;  Wang ZG;  Zhu ZZ;  Li GH;  Zhou W Chinese Acad Sci Lab Semicond Mat Sci Inst Semicond POB 912 Beijing 100083 Peoples R China.
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Bimodal Distribution  Photoluminescence (Pl)  Quantum-size Effect  Ge  Ensembles  Si(100)  Growth  Shape  
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Li HX;  Daniels-Race T;  Wang ZG;  Li HX,Duke Univ,Dept Elect & Comp Engn,Durham,NC 27708 USA. 电子邮箱地址: hxli@ee.duke.edu
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Liu JP;  Gong Q;  Huang DD;  Li JP;  Sun DZ;  Kong MY;  Liu JP,Chinese Acad Sci,Inst Semicond,Ctr Mat Sci,POB 912,Beijing 100083,Peoples R China.
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Zhou W;  Zhu ZM;  Liu FQ;  Xu B;  Xu HZ;  Wang ZG;  Zhou W,Chinese Acad Sci,Inst Semicond,Lab Semicond Mat Sci,POB 912,Beijing 100083,Peoples R China.
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Zhou W;  Xu B;  Xu HZ;  Liu FQ;  Gong Q;  Jiang WH;  Sun ZZ;  Ding D;  Liang JB;  Wang ZG;  Zhu ZM;  Li GH;  Zhou W,Chinese Acad Sci,Inst Semicond,Lab Semicond Mat Sci,Beijing 100083,Peoples R China.
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Zhou W;  Xu B;  Xu HZ;  Liu FQ;  Liang JB;  Wang ZG;  Zhu ZZ;  Li GH;  Zhou W,Chinese Acad Sci,Lab Semicond Mat Sci,Inst Semicond,POB 912,Beijing 100083,Peoples R China.
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