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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Fan S, Qin Z, He C, Hou M, Wang X, Shen B, Li W, Wang W, Mao D, Jin P, Yan J, Dong P.
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量子点中间带和黑硅太阳电池研究 学位论文
, 北京: 中国科学院研究生院, 2012
作者:  王科范
Adobe PDF(2444Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1534/62  |  提交时间：2012/06/25
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Wei W (Wei, Wei);  Qin ZX (Qin, Zhixin);  Fan SF (Fan, Shunfei);  Li ZW (Li, Zhiwei);  Shi K (Shi, Kai);  Zhu QS (Zhu, Qinsheng);  Zhang GY (Zhang, Guoyi)
Adobe PDF(529Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：989/284  |  提交时间：2013/04/18
无权访问的条目 期刊论文
作者:  王黎;  孙瑜;  赵晓凡;  娄采云;  陆丹;  赵玲娟;  王圩
Adobe PDF(335Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1411/385  |  提交时间：2011/08/16
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Ding Y (Ding Y.);  Fan WJ (Fan W. J.);  Ma BS (Ma B. S.);  Xu DW (Xu D. W.);  Yoon SF (Yoon S. F.);  Liang S (Liang S.);  Zhao LJ (Zhao L. J.);  Wasiak M (Wasiak M.);  Czyszanowski T (Czyszanowski T.);  Nakwaski W (Nakwaski W.);  Ding, Y, NanyangTechnolUniv, Sch Elect & Elect Engn, Singapore 639798, Singapore. 电子邮箱地址: yding@ntu.edu.sg
Adobe PDF(414Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1163/429  |  提交时间：2010/11/14
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Sun Y (Sun Yu);  Pan JAQ (Pan Jiao Qing);  Zhao LJA (Zhao Ling Juan);  Chen WX (Chen Weixi);  Wang W (Wang Wei);  Wang L (Wang Li);  Zhao XAF (Zhao Xiao Fan);  Lou CY (Lou Cai Yun);  Sun, Y, Chinese AcadSci, InstSemicond, Key Lab Semicond Mat Sci, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: sunyu2006@semi.ac.cn
Adobe PDF(536Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1193/529  |  提交时间：2010/11/14
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Liu JM (Liu J. M.);  Liu XL (Liu X. L.);  Xu XQ (Xu X. Q.);  Wang J (Wang J.);  Li CM (Li C. M.);  Wei HY (Wei H. Y.);  Yang SY (Yang S. Y.);  Zhu QS (Zhu Q. S.);  Fan YM (Fan Y. M.);  Zhang XW (Zhang X. W.);  Wang ZG (Wang Z. G.)
Adobe PDF(278Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1313/348  |  提交时间：2010/08/17
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Ying J (Ying J.);  Zhang XW (Zhang X. W.);  Fan YM (Fan Y. M.);  Tan HR (Tan H. R.);  Yin ZG (Yin Z. G.);  Zhang, XW, CAS, Inst Semicond, Key Lab Semicond Mat Sci, Beijing 100083, Peoples R China. xwzhang@semi.ac.cn
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硅掺杂的砷化铟/砷化镓量子点太阳电池的制作方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN102130206A, 公开日期: 2012-09-09, 2012-09-09, 2012-09-09
发明人:  王科范;  杨晓光;  杨涛;  王占国
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基于n-InP的单片集成的光逻辑门及其制作方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN200910093299.9, 公开日期: 2011-08-31
发明人:  张云霄;  廖栽宜;  周帆;  赵玲娟;  王圩
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