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中国科学院半导体研究所机构知识库
Knowledge Management System Of Institute of Semiconductors,CAS
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专题:中国科学院半导体研究所(2009年前)
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无权访问的条目
期刊论文
作者:
Zhan F
;
Huang SS
;
Niu ZC
;
Ni HQ
;
Xiong YH
;
Fang ZD
;
Zhou HY
;
Luo Y
;
Huang SS Tsinghua Univ Dept Elect Engn State Key Lab Integrated Optoelect Beijing 100084 Peoples R China.
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浏览/下载:981/210
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提交时间:2010/03/08
以二氧化硅为掩模定位生长量子点的方法
专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-12-03, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:
任芸芸
;
徐波
;
周惠英
;
刘明
;
李志刚
;
王占国
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提交时间:2009/06/11
在半导体衬底上制备有序砷化铟量子点的方法
专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-08-13, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:
周慧英
;
曲胜春
;
金鹏
;
徐波
;
王赤云
;
刘俊朋
;
王智杰
;
王占国
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浏览/下载:1705/236
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提交时间:2009/06/11
在半导体衬底上制备量子环结构的方法
专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-08-13, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:
周慧英
;
曲胜春
;
鹏
;
徐波
;
王赤云
;
刘俊朋
;
王占国
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浏览/下载:1561/216
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提交时间:2009/06/11
在半导体衬底上制备均匀有序量子结构的方法
专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-07-02, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:
周慧英
;
曲胜春
;
王占国
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提交时间:2009/06/11
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Liang S
;
Zhu HL
;
Pan JQ
;
Zhao LJ
;
Wang LF
;
Zhou F
;
Shu HY
;
Bian J
;
An X
;
Wang W
;
Liang, S, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Key Lab Semicond Mat Sci, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: liangsong@red.semi.ac.cn
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提交时间:2010/03/08
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Xing, HY
;
Fan, GH
;
Zhao, DG
;
He, M
;
Zhang, Y
;
Zhou, TM
;
Fan, GH, S China Normal Univ, Inst Optoelect Mat & Technol, Guangzhou 501631, Guangdong, Peoples R China. 电子邮箱地址: hy.xing@yahoo.com.cn
;
gfan@scnu.edu.cn
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提交时间:2010/03/08
无权访问的条目
期刊论文
作者:
邢海英
;
范广涵
;
赵德刚
;
何苗
;
章勇
;
周天明
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提交时间:2010/11/23
利用阳极氧化浴槽制备有序的阳极氧化铝通孔模板的方法
专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2007-09-17, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:
周慧英
;
曲胜春
;
徐波
;
张春林
;
王占国
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浏览/下载:1280/183
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提交时间:2009/06/11
波长可选分布反馈激光器二维阵列集成组件
专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2007-07-25, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:
谢红云
;
王保军
;
周帆
;
王圩
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浏览/下载:1452/183
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提交时间:2009/06/11